光刻对准方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种光刻对准方法及系统。其中光刻对准方法包括：对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。本发明专利技术中，在进行光刻前通过对对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息，然后根据对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并针对每一待处理区域设定对应的对准参数，从而消除晶圆不同区域之间的差异造成的影响，提高了光刻对准精度，进而提高产品良率。进而提高产品良率。进而提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
光刻对准方法及系统


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造
，特别是涉及一种光刻对准方法及系统。

技术介绍

[0002]在将晶圆加工成芯片的生产过程中，会经过光刻、处理、化学机械研磨、离子掺杂等处理工艺，其中任何一个处理工艺都有可能造成晶圆不同区域的表面状况产生差异，例如，晶圆表面高度差异，内嵌图形深度差异，以及图形的对称性差异问题，由于这些差异的存在，可能会导致不同区域对准标记测量出来的结果呈现差异，使得光刻对准精度下降，造成最终光刻的上下层图形出现偏差，导致最终的良率损失。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有技术中因晶圆表面不同区域之间的差异所导致的对准精度降低的问题，提供一种光刻对准方法和系统。
[0004]本专利技术实施例提供了一种光刻对准方法，包括：
[0005]对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；
[0006]根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
[0007]在其中一个实施例中，所述对准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻对准方法，其特征在于，包括：对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。2.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述对准信息包括信号强度和残余值。3.如权利要求2所述的光刻对准方法，其特征在于，所述晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记。4.如权利要求3所述的光刻对准方法，其特征在于，所述对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息，包括：利用波长不同的对准光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息；根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值。5.如权利要求4所述的光刻对准方法，其特征在于，所述光刻对准参数包括对准光源的波长；所述根据所述对准信息对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，包括：对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；将需要相同的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一所述待处理区域中，并确定每一所述待处理区域的对准光源。6.如权利要求4所述的光刻对准方法，其特征在于，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；所述根据所述对准信息对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，还包括：对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长；根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的所述光照强度。7.如权利要求4所述的光刻对准方法，其特征在于，所述曝光区域的量测位置数据为基
于所述波形拟合信息确定的对应于最强的所述信号强度的所述对准标记的测量位置数据。8.如权利要求4所述的光刻对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵磊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：