【技术实现步骤摘要】
激光调控纳米压印对准装置及调控方法
[0001]本专利技术是关于纳米压印对准
,特别是关于一种激光调控纳米压印对准装置及对准调控方法。
技术介绍
[0002]纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography,NIL)是一种全新微纳米图形化的方法,它是一种使用模具通过抗蚀剂的受力变形实现其图形化的技术。与其它微纳米制造方法相比,NIL具有高分辨率、超低成本(国际权威机构评估同等制作水平的NIL比传统光学掩模光刻至少低一个数量级)和高生产率的特点,尤其在大面积微纳米结构和复杂三维微纳米结构制造方面具有突出的优势。随着纳米压印光刻在高亮度光子晶体LED、高密度磁盘介质(HDD)、光学元器件(光、波导、微光学透镜、光栅)、微流控器件等领域的广泛应用,对于纳米压印高精度对准、压印准确性工艺的需求越来越迫切,同时对于压印面积、复型精度的要求也愈来愈高。
[0003]目前实现高精度对准压印基板和模板的方法主要是采用楔形误差补偿方法,该方法的理论可行性高但对机械的精密度要求较高,所需的对准体系会造成仪器设备造价昂贵 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光调控纳米压印对准装置,其特征在于,包括:壳体,具有一安装腔;第一调准组件,配置于所述安装腔内,所述第一调准组件包括第一调准板和第一调节结构,所述第一调准板上配置有第一定位卡槽,所述第一调准板上于所述第一定位卡槽边缘的预设位置贯穿开设有多个第一光通道,所述第一调准板在所述第一调节结构的作用下可在x、y以及z方向上移动;第二调准组件,配置于所述安装腔内,所述第二调准组件包括第二调准板和第二调节结构,所述第二调准板配置于所述第一调准板的下方,所述第二调准板上配置有第二定位卡槽,所述第二定位卡槽与所述第一定位卡槽相对设置,所述第二调准板上于所述第二定位卡槽边缘的预设位置贯穿开设有与所述第一光通道平行且相对应的第二光通道,所述第二调准板在所述第二调节结构的作用下可在z方向上移动;以及检测组件,包括发射器组,探测器组以及检测器组,所述发射器组配置于所述第一调准板上方且能发射与所述第一光通道、第二光通道同轴的紫外激光束以及发射呈扩散形分布的自然光线,所述探测器组配置于所述第二调准板上且能探测穿过所述第一光通道照射其上的自然光线,所述探测器组上贯穿开设有中心孔洞,所述中心孔洞与所述第二光通道同轴设置,所述检测器组配置于所述第二调准板下方,可检测穿过所述第一光通道和所述第二光通道的紫外激光束;其中,在所述第一调准板与所述第二调准板平行对准时,所述发射器组发射的紫外激光束可依次穿过所述第一光通道、所述探测器组的中心孔洞以及所述第二光通道,被所述检测器组检测接收。2.如权利要求1所述的激光调控纳米压印对准装置,其特征在于,所述第一调准板上开设有多个校准通孔,所述校准通孔与所述第二光通道对应设置,且当所述第一调准板处于特定位置时,每个所述校准通孔的中轴线与与之相对应的所述第二光通道的中轴线重合。3.如权利要求1所述的激光调控纳米压印对准装置,其特征在于,还包括磁吸组件,所述磁吸组件包括设于所述第一调准板上的第一磁吸件以及设于所述第二调准板上的第二磁吸件,所述第一磁吸件与所述第二磁吸件相对设置且在通电时产生相互的磁吸力。4.如权利要求1所述的激光调控纳米压印对准装置,其特征在于,所述第一定位卡槽以及所述第二定位卡槽内均配置有多个定位件,多个所述定位件沿所述第一定位卡槽和所述第二定位卡槽边缘均匀分布且能相对所述第一定位卡槽和所述第二定位卡槽侧壁移动。5.如权利要求1所述的激光调控纳米压印对准装置,其特征在于,所述第一调节结构包括多个可调节支...
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