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本发明涉及一种光刻对准方法及系统。其中光刻对准方法包括：对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。本发明中，在进行光刻前通过对对晶圆的表...
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