获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉，该装置包括：固定地设置在用于夹持籽晶的夹头上方的测距传感器，测距传感器用于在被夹头夹持的籽晶位于硅熔体的液面处时测量自身与夹头之间的基准实际距离并还用于在夹头被提拉并且籽晶远离液面以在液面处生长所述硅棒期间测量自身与夹头之间的实时实际距离；换算单元，其用于基于基准实际距离确定测距传感器与夹头之间在竖直方向上的基准竖直距离并还用于基于实时实际距离确定测距传感器与夹头之间在竖直方向上的实时竖直距离的；用于计算基准竖直距离减去实时竖直距离所得到的实时差值来作为所述硅棒的实时长度的计算单元。所述硅棒的实时长度的计算单元。所述硅棒的实时长度的计算单元。

【技术实现步骤摘要】
获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉。

技术介绍

[0002]直拉单晶制造法(简称CZ(Czochralski)法)是硅棒生长的一种常用方法，其过程通常包括：装料与熔料、熔接、细颈、放肩、转肩、等径生长和收尾等几个阶段。下面对这些阶段进行较为具体的描述。
[0003]首先，将块状的多晶硅原料投入坩埚中进行加热以使其全部熔化，在加热期间，按工艺要求调整气体的流量、压力、坩埚位置、晶体旋转、坩埚旋转；待熔体稳定后，降下籽晶至离液面3mm～5mm的距离处，在使籽晶预热之后将籽晶下降至熔体的表面；在使籽晶与溶体充分接触后将籽晶插入熔体以进行引颈，引颈阶段完成后使直径增大到目标直径；当细颈生长至足够长度并且达到一定的提拉速率，即可降低拉速进行放肩、转肩，之后进入等径生长阶段直至收尾完成整个生产过程。
[0004]在上述过程中，需严格监控硅棒的生长直径以确保最终生长出的硅棒满足生产要求。现有技术中，已经能够实现对直径、温度、温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在直拉法拉制硅棒期间获取所述硅棒的实时长度的获取装置，其特征在于，所述获取装置包括：固定地设置在用于夹持籽晶的夹头上方的测距传感器，所述测距传感器用于在被所述夹头夹持的所述籽晶位于硅熔体的液面处时测量自身与所述夹头之间的基准实际距离，所述测距传感器还用于在所述夹头被提拉并且所述籽晶远离所述液面以在所述液面处生长所述硅棒期间测量自身与所述夹头之间的实时实际距离；换算单元，所述换算单元用于基于所述基准实际距离确定所述测距传感器与所述夹头之间在竖直方向上的基准竖直距离，所述换算单元还用于基于所述实时实际距离确定所述测距传感器与所述夹头之间在竖直方向上的实时竖直距离；计算单元，所述计算单元用于计算所述基准竖直距离减去所述实时竖直距离所得到的实时差值来作为所述硅棒的实时长度。2.根据权利要求1所述的获取装置，其特征在于，所述测距传感器设置成在竖直方向上与所述夹头对准，所述换算单元将所述基准实际距离作为所述基准竖直距离，并且所述换算单元将所述实时实际距离作为所述实时竖直距离。3.根据权利要求1所述的获取装置，其特征在于，所述测距传感器设置成相对于所述夹头在水平方向上偏移，所述换算单元根据所述基准实际距离和偏移距离换算所述基准竖直距离，并且所述换算单元根据所述实时实际距离和所述偏移距离换算所述实时竖直距离。4.根据权利要求1至3中任一项所述的获取装置，其特征在于，所述获取装置还包括显示屏，所述显示屏用于显示所述硅棒的实时长度的读数。5.一种用于在直拉法拉制硅棒期间获取所述硅棒的实时长度的方法，其特征在于，所述方法包括：固定地设置在用于夹持籽晶的夹头上方的测距传感器在被所述夹头夹持的所述籽晶位于硅熔体的液面处时测量自身与所述夹头之间的基准实际距离；基于所述基准实际距离确定所述测距传感器与所述夹头之间在竖直方向上的基准竖直距离；所述测距...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦鹏，孙介楠，王晓豪，王琼琼，韩聪，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：