磁器件制造技术

本发明专利技术的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向（Ｓ）上形成磁场（Ｍ）。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场（Ｍ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备磁传感器的磁器件。
技术介绍
近年来，为了实现降低成本、削减芯片部件的目的，而提出了一种 将磁阻元件等感应元件集成于例如半导体等基板上的方案。在利用这样 的磁阻元件作为磁传感器时，因阻抗变化的特性，需要对磁阻元件施加 偏磁场。作为对磁阻元件施加偏磁场的方法，可以考虑例如在磁阻元件的附 近配置磁铁(专利文献l)。然而，像这样由磁铁来进行偏磁场的施加， 磁场强度将因各个磁铁的不同而不恒定，很难稳定地施加具有恒定值的 偏磁场，因此，在应用磁传感器时存在问题。另 一方面，作为以恒定强度对磁阻元件稳定地施加偏磁场的方法， 已知有一种通过在磁阻元件的附近形成螺旋状或线團状的导电层并使该导电层通电，来产生偏磁场的方法(专利文献2)。特别是，沿着形成 为线團状的导电层的绕线中心轴配置有磁阻元件的磁传感器，由于其具 有可以对磁阻元件稳定地施加较强的偏磁场的特性，因此适合作为高精 度的磁传感器。专利文献1:日本特开2002-43649号公报专利文献2:日本特开2001-221838号^S^艮然而，为了对磁阻元件施加偏压磁场，而以包入磁阻元件的方式 在磁阻元件的周围形成线團状的磁场施加机构的情况下，这样的线圈使 得磁器件整体的外形变大，从而阻碍了搭载磁器件的机器的小型化、薄 形化。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供一种小型、轻 量并且以低成本就可以制造的、具备磁元件的磁器件。本专利技术的第一方式(aspect)为磁器件，其包含磁元件；以及笫 一磁场施加机构和第二磁场施加机构，该笫一磁场施加机构和第二磁场 施加机构配置成夹着磁元件，用来对磁元件施加一个方向的偏磁场.本专利技术的第二方式是在第一方式的基础上，第一磁场施加机构和第 二磁场施加机构分别包含独立的磁场产生机构以及磁场感应机构。本专利技术的笫三方式是在第一方式的基础上，第一磁场施加机构和第 二磁场施加机构双方的磁场感应机构和磁元件被配置在大致同一平面 上。本专利技术的第四方式是磁器件，其包含具有第一导电层及第二导电 层的笫一基板；具有第三导电层及第四导电层的第二基板；配置在第一 基板与第二基板之间的磁元件；电连接第一导电层及第三导电层的第一 连结部；电连接第二导电层及第四导电层的第二连结部；包括第一导电 层、第三导电层以及第一连结部的线團形状的第一磁场产生机构；包括 第二导电层、第四导电层以及第二连结部的线圏形状的第二磁场产生机 构；通过第一磁场产生机构的线團形状的中央的第一磁场感应机构；以 及通过第二磁场产生机构的线圏形状的中央的第二磁场感应机构。本专利技术的笫五方式是在第四方式的基础上，还包含配置于第一基板 与第二基板之间的第三基板，第三基板具有收容磁元件的磁元件收容 部、收容第一磁场感应机构的第一收容部、收容第二磁场感应机构的第 二收容部，且磁元件收容部配置在第一收容部与第二收容部之间。根据本专利技术的磁器件，通过以夹着磁元件的方式在两侧配置第一磁 场施加机构和第二磁场施加机构，可以对磁元件，在一个方向施加高效 并且较强的偏磁场，可以实现高精度的磁传感器。另外，可以与磁元件分开来配置用来对磁元件施加偏磁场的磁场产 生机构。因此，可以不在磁元件周围形成磁场产生机构，因此，能够实 现磁器件整体的小型化、尤其是薄形化，可以提高搭载磁器件的机器的布局上的自由度。 附图说明图l是表示本专利技术的磁器件的一个例子的立体图。图2是表示本专利技术的磁器件的其他例子的立体图。 图3是表示本专利技术的磁器件的其他例子的分解立体图。 图4是表示图3的磁场施加机构的说明图。 图5是表示本专利技术的磁器件的其他例子的分解立体图。 符号说明10…磁器件；11…磁元件；12…第一磁场施加机构；13…第二磁场 施加机构；15…第一磁场产生机构；16…第一磁场感应机构；17…第二 磁场产生机构；18…第二磁场感应机构具体实施例方式以下，基于附图对本专利技术涉及的磁器件的一个实施方式进行说明。 另外，本专利技术并不限于该实施方式。图l是表示本专利技术的磁器件(磁传 感器)的一个例子的立体图。本专利技术的磁器件10具备磁元件ll、夹 着该磁元件11配置的第一磁场施加机构12和第二磁场施加机构13。磁元件11例如是在非磁性基板lla的表面曲折地形成了软磁性膜 lib的元件。第一磁场施加机构12及第二磁场施加机构13从第一磁场 施加机构12向第二磁场施加机构13在一个方向S上形成磁场M。由此， 对于第一磁场施加机构12和第二磁场施加机构13之间所配置的磁元件 11而言，在软磁性膜lib的整体上施加有朝向一个方向的偏磁场M。;恨据如此构成的磁器件10，通过以夹着磁元件11的方式在两侧配 置第一磁场施加机构12和第二磁场施加机构13，能够在一个方向对磁 元件ll施加高效并且较强的偏磁场，可以实现一种高精度的磁传感器。而且，由于能够与磁元件11分开地配置用于对磁元件11施加偏磁 场的磁场产生机构，因此，也可以不在磁元件周围形成磁场产生机构，由此能实现磁器件10整体的小型化、尤其是薄形化，从而能够提高搭 栽磁器件10的机器在布局上的自由度。第一磁场施加机构12及第二磁场施加机构13可以分别由独立的磁 场产生机构和磁场感应机构构成。第一磁场施加机构12具有第一磁场 产生机构15和第一磁场感应机构16。并且，第二磁场施加机构13具有 第二磁场产生机构17和第二磁场感应机构18。第一磁场产生机构15及第二磁场产生机构17例如可以由两端与电 源14连接、且缠绕成线團形状的导电体构成。另外，第一磁场感应机 构16及第二磁场感应机构18，只要是将例如形成为带状(薄带状)的 高透磁率材料以分别通过第一磁场产生机构15、第二磁场产生机构17 的线團形状的中心轴P的方式配置即可。这样的带状(薄带状)的第一磁场感应机构16及第二磁场感应机 构18的一端16a、 18a延伸到与磁元件11相邻的位置。另外，为了利 用磁元件ll检测外部磁场的变化，将第一磁场感应机构16及第二磁场 感应机构18的另一端16b、 18bi殳置为开磁路。这样，通过使第一磁场施加机构12及第二磁场施加机构13分别以 独立的磁场产生机构和磁场感应机构构成，例如在使用螺线管作为磁场 施加机构时，即便不以包入尺寸较大的磁元件11的方式在磁元件附近 形成磁场产生机构、亦即线團，而只要以包入由高透磁率材料形成的带 状的薄而小的第一磁场感应机构16及第二磁场感应机构18的方式形成 由小型线團构成的第一磁场产生机构15和第二磁场产生机构17即可。 因此，能够实现磁元件10的薄形化。另外，通过将第一磁场感应机构16及第二磁场感应机构18的一端 16a、 18a延伸到与磁元件ll相邻的位置，即便在离开磁元件11的位置 形成第一磁场产生机构15和第二磁场产生机构17,也可以通过第一磁 场感应机构16及第二磁场感应机构18将由这样的磁场产生机构15、 17 所产生的偏磁场不衰减地施加到磁元件11上。作为构成第一磁场感应机构16及第二磁场感应机构18的高透磁率 材料，例如可以使用钴系非晶体薄带、烧结铁素体薄膜等.特别是，如 果将柔软性的钴系非晶体薄带用于第一磁场感应机构16和第二磁场感应机构18,则可以在离开磁元件11的位置配置第一磁场产生机构15 和笫二磁场产生机构17，使第一磁场感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁器件，其特征在于，包含：　磁元件；以及　第一磁场施加机构和第二磁场施加机构，配置成夹着磁元件，用来对磁元件施加一个方向的偏磁场。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-5-9 130015/20061. 一种磁器件，其特征在于，包含磁元件；以及第一磁场施加机构和第二磁场施加机构，配置成夹着磁元件，用来对磁元件施加一个方向的偏磁场。2. 根据权利要求1所述的磁器件，其特征在于，第一磁场施加机 构和第二磁场施加机构分別包含独立的磁场产生机构以及磁场感应机构。3. 根据权利要求1所述的磁器件，其特征在于，笫一磁场施加机 构和第二磁场施加机构双方的磁场感应机构和磁元件被配置在大致同 一平面上。4. 一种磁器件，其特征在于，包含具有第一导电层及第二导电层的第一基板； 具有第三导电层及第四导电层的第二基板；配置在第 一基板与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：糸井和久，长洲胜文，相沢卓也，中尾知，川合茂一，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：JP[日本]