一种半导体器件测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体器件测试方法及装置，应用于智能功率模块的性能测试，半导体器件测试方法包括：将半导体器件与耐压测试仪通过耐压测试连接导线短接至一起进行耐压测试；在耐压测试后，基于引脚间连筋对所述半导体器件的连接引脚进行切脚成型；在切脚成型后，对所述半导体器件进行电参数测试。本发明专利技术技术方案避免半导体器件测试时先切脚成型，再耐压测试时，造成半导体器件失效的问题，降低了测试失效成本。失效成本。失效成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件测试方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体测试
，特别涉及一种半导体器件测试方法及装置。

技术介绍

[0002]智能功率模块(IPM，Intelligent Power Module)，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。广泛用于家电变频控制中。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内置有过电压、过电流和过热等故障检测电路。
[0003]传统的智能功率模块一般采用高压驱动芯片驱动IGBT，一般有一颗6路三相全桥驱动，广泛应用于工控、家电等领域。这些应用大多都会受到恶劣环境条件的影响，例如高温、湿度、高压等环境。由于这些设备常常应用于暴露在外的场合，IPM模块的质量和可靠性就至关重要。
[0004]对于IPM模块的质量和可靠性，就需要对智能功率模块进行测试，传统的测试方法是先切脚成型，再进行耐压测试，最后再电参数测试。然而，这种方法在切脚成型后，各引脚之间的连筋切断后，再进行耐压测试时，有个别引脚与测试探针容易接触不良，可能导致与其它引脚未形成短路，从而使得IPM模块失效。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的是提出一种半导体器件测试方法及装置，旨在避免半导体器件测试时先切脚成型，再耐压测试时，造成半导体器件失效，降低测试失效成本。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提出的半导体器件测试方法包括：
[0007]将半导体器件与耐压测试仪通过耐压测试连接导线短接至一起进行耐压测试；
[0008]在耐压测试后，基于引脚间连筋对所述半导体器件的连接引脚进行切脚成型；
[0009]在切脚成型后，对所述半导体器件进行电参数测试。
[0010]可选地，所述半导体器件测试方法还包括：
[0011]将所述耐压测试仪的第一连接端子通过耐压测试连接导线与所述半导体器件的金属板短接；
[0012]将所述耐压测试仪的第二连接端子通过耐压测试连接导线与所述半导体器件的连接引脚短接。
[0013]可选地，所述半导体器件测试方法还包括：
[0014]将所述耐压测试仪的第二连接端子通过耐压测试连接导线与所述半导体器件的任意一个连接引脚短接。
[0015]可选地，所述半导体器件测试方法还包括：
[0016]将所述智能功率模块的每一连接引脚的测试探针固定至相应的连接引脚上。
[0017]本实施例还提出一种半导体器件测试装置，所述半导体器件测试装置包括包括智能功率模块、耐压测试仪及连接所述智能功率模块、所述耐压测试仪的耐压测试连接导线；
[0018]所述智能功率模块包括金属板和多个连接引脚，所述耐压测试仪包括第一连接端
子和第二连接端子；
[0019]所述第一连接端子通过所述耐压测试连接导线与所述半导体器件的金属板短接，所述第二连接端子通过所述耐压测试连接导线与所述半导体器件的任意一个连接引脚短接；
[0020]所述耐压测试仪，用于对所述智能功率模块进行耐压测试。
[0021]可选地，所述半导体器件测试装置还包括支持板；
[0022]所述智能功率模块的多个引脚均放置于所述支持板；
[0023]所述支持板，用于固定每个连接引脚上的测试探针。
[0024]可选地，所述智能功率模块的多个连接引脚通过引脚间连筋短接，且通过所述耐压测试连接导线与所述耐压测试仪的第二连接端子连接。
[0025]可选地，所述半导体器件测试装置还包括探针固定板；
[0026]所述探针固定板，用于将智能功率模块的每一连接引脚的测试探针固定至相应的连接引脚上。
[0027]可选地，所述智能功率模块还包括绝缘层、电路布线，由三极管、HVIC驱动芯片、金属线构成的电路基板，配置在所述电路基板边缘的连接引脚，以及密封所述电路基板上表面的环氧树脂。
[0028]可选地，所述电路基板是由金属铝构成的矩形板材，所述金属线为铝线、金线或铜线。
[0029]本专利技术中半导体器件测试方法应用于智能功率模块的性能测试，具体是通过将半导体器件与耐压测试仪通过耐压测试连接导线短接至一起进行耐压测试；在耐压测试后，基于引脚间连筋对半导体器件的连接引脚进行切脚成型；在切脚成型后，对所述半导体器件进行电参数测试。从而避免了半导体器件切脚成型后，半导体器件的各连接引脚之间的连筋切断后，再进行耐压测试时，半导体器件上的个别连接引脚与测试探针接触不良，导致半导体器件上其它连接引脚未形成短路，造成测试失效，以此降低测试失效成本。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术半导体器件测试方法一实施例的流程示意图；
[0032]图2为本专利技术智能功率模块一实施例的外部结构示意图；
[0033]图3为本专利技术半导体器件测试装置一实施例的结构示意图；
[0034]图4为图3中半导体器件测试装置沿X
‑
X
’
线的截面示意图；
[0035]图5为本专利技术半导体器件测试装置另一实施例的结构示意图。
[0036]附图标号说明：
[0037][0038][0039]本专利技术目的的实现、功能特点及可点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0042]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0043]本专利技术提出一种半导体器件测试方法。
[0044]在本专利技术一实施例中，如图1至如图3所示，半导体器件测试方法应用于智能功率模块001的性能测试，所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件测试方法，应用于智能功率模块的性能测试，其特征在于，所述半导体器件测试方法包括：将半导体器件与耐压测试仪通过耐压测试连接导线短接至一起进行耐压测试；在耐压测试后，基于引脚间连筋对所述半导体器件的连接引脚进行切脚成型；在切脚成型后，对所述半导体器件进行电参数测试。2.根据权利要求1所述的半导体器件测试方法，其特征在于，所述半导体器件测试方法还包括：将所述耐压测试仪的第一连接端子通过耐压测试连接导线与所述半导体器件的金属板短接；将所述耐压测试仪的第二连接端子通过耐压测试连接导线与所述半导体器件的连接引脚短接。3.根据权利要求2所述的半导体器件测试方法，其特征在于，所述半导体器件测试方法还包括：将所述耐压测试仪的第二连接端子通过耐压测试连接导线与所述半导体器件的任意一个连接引脚短接。4.根据权利要求1所述的半导体器件测试方法，其特征在于，所述半导体器件测试方法还包括：将所述智能功率模块的每一连接引脚的测试探针固定至相应的连接引脚上。5.一种半导体器件测试装置，其特征在于，所述半导体器件测试装置包括智能功率模块、耐压测试仪及连接所述智能功率模块、所述耐压测试仪的耐压测试连接导线；所述智能功率模块包括金属板和多个连接引脚，所述耐压测试仪包括第一连接端子和第二连接端子；所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，左安超，潘志坚，张土明，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：