一种光学邻近修正方法及版图加工设备技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，涉及一种光学邻近修正方法及版图加工设备；通过将虚拟图案转化为环境参数，使得光学邻近修正的运算量较少，提升了模型求解的效率；结合SRAF图形，本发明专利技术的方法可以提升光学邻近修正对特征图形转移的分辨率和效率；其中，模型的求解时间降低至现有方法的一半以下。至现有方法的一半以下。至现有方法的一半以下。

【技术实现步骤摘要】
一种光学邻近修正方法及版图加工设备


[0001]本专利技术属于法微电子
，尤其涉及一种光学邻近修正方法及版图加工设备。

技术介绍

[0002]虚拟图案DP（Dummy Pattern）在光学邻近修正OPC（Optical Proximity Correction）过程中经常被采用；通常，DP被插入主图案MP（Main Patter）；然后，对DP与MP一同进行OPC修正。基于此，上述OPC过程的处理需要耗用CPU（Central Processing Unit）过多的时间，往往难以满足资源和效率需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了一种光学邻近修正方法，将虚拟图案转化为环境参数，使得光学邻近修正的运算量较少，提升了模型求解的效率；结合SRAF图形，还提升了光学邻近修正对特征图形转移的分辨率和效率；其中，模型的求解时间降低至现有方法的一半以下。
[0004]该方法包括数据采集步骤、环境保障步骤、中间转换步骤和合成输出步骤。其中，数据采集步骤获取第一特征图形；该第一特征图形为光学邻近修正前的特征图形数据；进而获取第二特征图形，即虚拟图案，该第二特征图形与第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真第一特征图形的第一光学邻近修正，第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于第一特征图形的后续修正。
[0005]进一步地，通过获取第一环境向量；获得修正过程的初始条件；该第一环境向量为第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合，用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值。
[0006]环境保障步骤抽取第一样本图形；其中，第一样本图形为第二特征图形中预设比例的第二特征图形的局部图形。
[0007]中间转换步骤获取第三图形；其中，第三图形由第一样本图形经过光学修正模型的修正获得。
[0008]合成输出步骤获取第二环境向量；其中，第二环境向量用于修正第一环境向量；以第二环境向量为预设值，对第一特征图形进行第二光学邻近修正。
[0009]进一步地，第一特征图形包括需要由设计版图转移到工件表面的特征图形；在第二环境向量的支持下，对第一特征图形进行第二光学邻近修正。
[0010]其中，第一特征图形可以包括深宽比大于10的沟槽和/或孔的特征图形。
[0011]进一步地，第一特征图形可以采用GDS或GDSII文件存储；通过读取GDS或GDSII文件，以第二环境向量为参考，用预设的OPC模型对第一特征图形进行修正。
[0012]通过获取第四特征图形，其中第四特征图形由第一特征图形插入SRAF辅助图形后获得；采用预设的OPC模型对第四特征图形进行修正。
[0013]进一步地，第一环境向量还包括线宽和孔径参量；该线宽和孔径基于第二环境变
量进行修正。
[0014]与本专利技术方法相应，还公开了一种版图加工设备，包括数据采集单元、环境保障单元、中间转换单元以及合成输出单元。
[0015]其中，数据采集单元获取第一特征图形；第一特征图形为光学邻近修正前的特征图形数据；获取第二特征图形；其中，第二特征图形为虚拟图案，第二特征图形与第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真第一特征图形的第一光学邻近修正，第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于所述第一特征图形的后续修正；获取第一环境向量；其中，第一环境向量为第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合，用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值。
[0016]其环境保障单元抽取第一样本图形；第一样本图形为第二特征图形中预设比例的第二特征图形的局部图形；中间转换单元获取第三图形；第三图形由第一样本图形经过光学修正模型的修正获得；合成输出步骤获取第二环境向量，第二环境向量用于修正第一环境向量；以第二环境向量为预设值，对第一特征图形进行第二光学邻近修正。
[0017]进一步地，第一特征图形包括需要由设计版图转移到工件表面的特征图形；在第二环境向量的支持下，对第一特征图形进行第二光学邻近修正；其中，第一特征图形可包括深宽比大于10的沟槽和/或孔的特征图形；第一特征图形可采用GDS或GDSII文件存储。
[0018]通过读取GDS或GDSII文件，以第二环境向量为参考，用预设的OPC模型对第一特征图形进行修正。
[0019]进一步地，通过获取第四特征图形，其中第四特征图形由第一特征图形插入SRAF辅助图形后获得；采用预设的OPC模型对第四特征图形进行修正；其中，第一环境向量还可包括线宽和孔径参量；线宽和孔径基于第二环境变量进行修正。
[0020]需要说明的是，在本文中采用的“第一”、“第二”等类似的语汇，仅仅是为了描述技术方案中的各组成要素，并不构成对技术方案的限定，也不能理解为对相应要素重要性的指示或暗示；带有“第一”、“第二”等类似语汇的要素，表示在对应技术方案中，该要素至少包含一个。
附图说明
[0021]为了更加清晰地说明本专利技术的技术方案，利于对本专利技术的技术效果、技术特征和目的进一步理解，下面结合附图对本专利技术进行详细的描述，附图构成说明书的必要组成部分，与本专利技术的实施例一并用于说明本专利技术的技术方案，但并不构成对本专利技术的限制。
[0022]附图中的同一标号代表相同的部件，具体地：图1为现有技术中OPC方法对虚拟图案的处理流程示意图；图2为本专利技术实施例对虚拟图案的处理流程示意图；图3为本专利技术方法实施例流程示意图；图4为本专利技术设备实施例结构及信息流向示意图；图5为本专利技术处理时间与现有技术比较示意图；其中：1
‑
待处理的版图需求；2
‑
版图成品或半成品；
3
‑
传统做法的计算时间（单位：秒）；4
‑
本专利技术实施例的计算时间（单位：秒）；10
‑
数据采集步骤，11数据采集单元；20
‑
环境保障步骤，22
‑
环境保障单元；30
‑
中间转换步骤，33
‑
中间转换单元；40
‑
合成输出步骤，44
‑
合成输出单元；100
‑
第一特征图形；200
‑
虚拟图案；300
‑
OPC修正结果；400
‑
虚拟图案处理后的中间结果。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步的详细说明。当然，下列描述的具体实施例只是为了解释本专利技术的技术方案，而不是对本专利技术的限定。此外，实施例或附图中表述的部分，也仅仅是本专利技术相关部分的举例说明，而不是本专利技术的全部。
[0024]如图3所示本专利技术方法实施例流程示意图；包括数据采集步骤10、环境保障步骤20、中间转换步骤30和合成输出步骤40。
[0025]其中，在数据采集步骤获取第一特征图形100，及待处理的光学邻近修正前的特征图形数据。
[0026]通过获取第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：数据采集步骤（10）：获取第一特征图形（100）；其中，所述第一特征图形（100）为光学邻近修正前的特征图形数据；获取第二特征图形；其中，所述第二特征图形为虚拟图案，所述第二特征图形与所述第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真所述第一特征图形的第一光学邻近修正，所述第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于所述第一特征图形的后续修正；获取第一环境向量；其中，所述第一环境向量为所述第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合，用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值；环境保障步骤（20）：抽取第一样本图形；其中，所述第一样本图形为所述第二特征图形中预设比例的所述第二特征图形的局部图形；中间转换步骤（30）：获取第三图形；其中，所述第三图形由所述第一样本图形经过光学修正模型的修正获得；合成输出步骤（40）：获取第二环境向量；其中，所述第二环境向量用于修正所述第一环境向量；以所述第二环境向量为预设值，对所述第一特征图形进行第二光学邻近修正（300）。2.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一特征图形（100）包括需要由设计版图转移到工件表面的特征图形；在所述第二环境向量的支持下，对所述第一特征图形进行第二光学邻近修正（300）。3.如权利要求2所述的方法，其中：所述第一特征图形（100）包括深宽比大于10的沟槽和/或孔的特征图形。4.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一特征图形（100）采用GDS或GDSII文件存储；读取所述GDS或所述GDSII文件，以所述第二环境向量为参考，用预设的OPC模型对所述第一特征图形进行修正。5.如权利要求4所述的方法，还包括：获取第四特征图形，其中所述第四特征图形由所述第一特征图形插入SRAF辅助图形后获得；采用所述预设的OPC模型对所述第四特征图形进行修正。6.如权利要求5所述的方法，其中：所述第一环境向量还包括线宽和孔径参量；所述线宽和孔径基于所述第二环境变量进行修正。7.一种版图加工设备，包括：数...

【专利技术属性】
技术研发人员：王英磊，曾鼎程，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：