一种功率型发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及半导体光电器件领域，公开了一种功率型发光二极管，其特征在于包括ＬＥＤ芯片和反光罩，ＬＥＤ芯片垂直安装在反光罩内，ＬＥＤ芯片的正电极与正电极支架固定连接，ＬＥＤ芯片的负电极与负电极支架固定连接，ＬＥＤ芯片通过环氧树脂固定在反光罩内。本发明专利技术的特点是采用了电极支架对ＬＥＤ芯片进行散热，利用ＬＥＤ芯片双面出光提高出光效率，ＬＥＤ发出的光线通过反光罩发射出去，光出射角由发光罩决定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件领域，具体是一种功率型发光二极管。
技术介绍
III-V族材料的GaAlInP、 InGaN等的发光二极管(LED)技术成熟，并进 行工业化生产及其进行广泛的应用。在功率型LED (1W以上功率的LED)的 制造过程中，已经有许多专利技术及其对应得产品。提高功率型LED出光效率 的方法主要侧重在增加LED的内量子效率，也就是提高p型层的性能，以及 InGaN量子阱的发光效率等。目前，存在的问题仅注重内量子效率，而忽略了 外量子效率、器件结构设计、散热设计技术的利用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种出光效率高的功率型发光二极管，通过利用 LED外延片的正面和底面同时出光，增加了发光二极管的发光效率。 实现本专利技术目的的技术方案如下一种功率型发光二极管，其特征在于包括LED芯片和反光罩，LED芯片垂直安 装在反光罩内，LED芯片的正电极与正电极支架固定连接，LED芯片的负电极与负 电极支架固定连接，LED芯片通过环氧树脂固定在反光罩内。所述LED芯片通过以下步骤制备而成a、 采用MOCVD方法在蓝宝石或硅衬底上生长LED外延片；b、 通过光刻、离子刻蚀等工艺在LED外延片上制作LED芯片的形状；c、 剥离LED外延片衬底；d、 利用激光切割成LED芯片。 进一步地，LED芯片的形状为正方形。 进一步地，反光罩为半圆形或抛物线形状。进一歩地，在LED芯片的正、反面上都涂覆有黄色荧光粉。为了实现良好地散热，正电极支架和负电极支架采用铝合金或铝镁合金制备 而成。反光罩采用铝合金材料制备而成。本专利技术的特点是采用了电极支架对LED芯片进行散热，利用LED芯片双 面出光提高出光效率，LED发出的光线通过反光罩发射出去，光出射角由^:光 罩决定。 附图说明图1是LED芯片示意图。图2是带反光罩的发光二极管的侧视示意图。图3是带反光罩的发光二极管的俯视不意图。图4是带反光罩的发光二极管的另一侧视示意图。图中，1是LED芯片，2是正电极支架，3是负电极支架，4是反光罩，5 是发光二极管发出的光线，6是LED芯片的正电极，7是LED芯片的负电极。 具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进一步地说明。本专利技术的制备方法如下1、 采用MOCVD方法在蓝宝石或硅等衬底上生长LED外延片。通过平面 工艺方法制备LED正方形芯片，首先通过光刻、离子刻蚀等工艺在外延片上制 作LED的形状，剥离LED外延片衬底，利用激光切割外延片，得到如图l所示 的LED芯片1，其上制作有正电极6和负电极7。2、 采用铝合金或铝镁合金材料按照图2所示，加工和制作正电极支架2、 负电极支架3，利用电极对LED芯片进行热量传导，实现功率型发光二极管的 散热。3、 釆用铝合金材料的半圆形或抛物线形状的反光罩4，实现对发光二极管发出的光线5进行反射，光出射角由反光罩4的形状决定。4、 LED芯片1焊接到正电极支架2和负电极支架3上，并在LED芯片1 的正、反面都涂覆黄色荧光粉，将LED芯片1垂直安装在反光罩4内，并注入 环氧树脂进行固定，制备得到正面和底面都出光的功率型发光二极管。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型发光二极管，其特征在于包括ＬＥＤ芯片（１）和反光罩（４），ＬＥＤ芯片（１）垂直安装在反光罩（４）内，ＬＥＤ芯片（１）的正电极（６）与正电极支架（２）固定连接，ＬＥＤ芯片（１）的负电极（７）与负电极支架（３）固定连接，ＬＥＤ芯片（１）通过环氧树脂固定在反光罩（４）内。

【技术特征摘要】
1、一种功率型发光二极管，其特征在于包括LED芯片(1)和反光罩(4)，LED芯片(1)垂直安装在反光罩(4)内，LED芯片(1)的正电极(6)与正电极支架(2)固定连接，LED芯片(1)的负电极(7)与负电极支架(3)固定连接，LED芯片(1)通过环氧树脂固定在反光罩(4)内。2、 根据权利要求1所述的功率型发光二极管，其特征在于LED芯片(1)通 过以下歩骤制备而成a、 采用MOCVD方法在蓝宝石或硅衬底上生长LED外延片；b、 通过光刻、离子刻蚀等工艺在LED外延片上制作LED芯片的形状；c、 剥离LED外延片衬底；d、 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙慧卿，郭志友，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]