一种电致伸缩材料及其制备方法技术

技术编号:3232003 阅读:197 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种电致伸缩材料及其制备方法。通过Sr或La元素部分取代PMN中Pb的同时,掺杂Sc↓[2]O↓[3],并添加Cr↓[2]O↓[3]或Bi↓[2]O↓[3]中的一种,以低成本的生产路线,优化工艺条件,从而提供一种耐压性能好、形变量大、损耗低的电致伸缩材料,可广泛应用于大形变驱动和定位的航空航天、精密光学、精密加工等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功能材料领域,具体的说,涉及一种电致伸缩材料及其制 备方法。
技术介绍
电致伸缩材料是一种具有机电耦合效应的铁电材料,其在外电场的诱 发作用下会产生一定的形变。由于该形变的机理是通过电输入信号而非机 械量输入来产生所需运动,因此可以实现机械隔离,并且由于其驱动功率 小、无需高压预极化,不存在极化和去极化引起的老化问题,因此使电致 伸缩材料成为微位移器件的理想材料,备受国防、微电子工业及尖端技术 的重视,在智能结构系统、微机械电子系统、微型机器人、激光束偏转器、 自适应光学系统等方面有着广泛的应用。电致伸缩材料所产生的形变(应变)与电场强度大小的平方成正比, 因此在实际工作时,要想获得足够大的应变量需要施加更强的电场,这就 需要材料必须具备优良的耐高压性能和低损耗性。在现有技术中,例如文献Ceram. Int. 2004, 30: 1411~1417和Ceram. Int. 2006, 32: 189~194中所介 绍的使用超细粉末、热压烧结等工艺制备的铌镁酸铅系(PMN)电致伸 缩材料主要以Ba、 Sr、 K等元素进行掺杂改性,该材料存在耐压性能差、 损耗高、的问题,此外,由于超细粉末的工艺条件苛刻、操作过程复杂, 热压烧结则需要一套昂贵的特殊设计的热压设备,成本很高,目前它们都 很难应用于工业化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有电致伸缩材料耐压性能差、损耗高且制造成 本高的缺陷,提供一种耐压性能好、形变量大、损耗低的电致伸缩材料, 并提供一种操作简单、低成本的制备方法以制备上述电致伸缩材料,从而 有利于实现工业化生产。所述电致伸缩材料可广泛应用于大形变驱动和定位的航空航天、精密光学、精密加工等领域。本专利技术的目的是这样实现的根据本专利技术的一个方面,提供一种电致伸缩材料的制备方法,包括以 下步骤1) 以PbO、 Ti02、 Mg(OH)2、 Nb205、 SrC03、 La203、 Sc203、 Cr203、 Bi203为原料,按照以下组成式的化学计量比称量Pb1.aMa(Mg1/3Nb2/3)pTi1.e03+ x mol% Sc203+ y mol% Lm203 ,其中0.05傘0.150<x<0.5, 0<y<0.5, 0<x+y$0.5式中M为Sr或La, Lm203为Bi203或Cr203。2) 首先将Mg(OH)2和Nb20s经过800 1000。C下1 ~ 2.5小时合成 MgNb206,然后与其他原料按相应配比进行混料球磨,在800 1000。C下 1 ~ 2.5小时二次合成铌镁酸铅粉料;3 )将步骤2)得到的二次合成铌镁酸铅粉料再次球磨成微米级后,加 入0.5wt。/。聚乙烯醇作为粘结剂造粒成型,然后在1100 ~ 1250。C下保温1 ~ 2小时进行烧结。其中在所述步骤l)中优选0.01^cS0.02, 0<y^0.48,所使用的原料纯 度为化学纯的,或化学纯以上的原料。根据本专利技术的另 一个方面,提供一种由上述制备方法所获得的电致伸 缩材料。在上述的技术方案中,为了测试所制备的电致伸缩材料的电性能,可 以将烧结后的材料磨加工成相应尺寸的元件,再对表面进行抛光,然后采 用烧渗银法在上述元件上镀上银电极,烧渗银的温度为700~ 800°C,保温 时间为1 ~2小时。在本专利技术中,少量Sr或La的取代有利于避免对性能不利的焦绿石相的出现,适量的SC203可以改善电致伸缩材料内部结构的有序一无序性,而0203或Bi203的掺杂有助于在烧成中引入过渡的液相烧结量,降低烧结温度,细化晶粒,提高材料内部结构^^力性和致密度,加强晶界的耐 击穿强度,从而提高电致伸缩材料的工作电压,并改善其蠕变性。与目前现有的技术相比,本专利技术具有以下优点1. 本专利技术提供的电致伸缩材料形变量大,达到10_3量级,能在大行程范围内方便地调节位移量,这为电致伸缩器件的性能设计提供了更大的 设计空间。2. 本专利技术提供的电致伸缩材料耐压性能高,损耗低。由于该材料的 击穿强度高于6kV/mm,工作电压可达5kV/mm, -使其能够承受较大的电 场强度,获得更大的形变,从而提高了电致伸缩器件的可靠性。3. 本专利技术的电致伸缩材料还具有低蠕变性的特点,因此在实际应用 中有效保证了位移的重现性,有利于更好地进行微小位移的定位移动。4. 本专利技术提供的工艺路线,操作过程筒单、易控制,而且成本低廉, 适用于工业化生产。附图说明图1是根据本专利技术一实施例的电致伸缩材料的XRD图谱,其具有单 纯的钩钛矿相结构。图2是根据本专利技术一实施例的电致伸缩材料的SEM图,显示晶粒生 长良好、微观结构致密。图3是根据本专利技术实施例1~3的电致伸缩材料的电致回线图。具体实施例方式下面通过实施例来进一步说明本专利技术的优点,但本专利技术的内容并非局 限于此。:1) 以化学纯的PbO、 Ti02、 Mg(OH)2、 Nb205、 SrC03、 Sc203、 Cr203 为原料,l姿组成式Pbo.95Sro.o5(Mg^Nb2/3)(uTio.903 + 0.01 mol% Sc203 + 0.02 mol% Cr203的化学计量比准确称量;2) 首先以Mg(OH)2和Nb205为原料,先经过800~ 1000。C下保温2.5 小时合成MgNb206,然后与PbO、 Ti02、 SrC03、 Sc203、 0203按相应配比5进行混料球磨,在800 ~ 1000。C下保温2.5小时二次合成铌《美酸铅粉料; 3 )将步骤2 )得到的二次合成铌镁酸铅粉料再次球磨成微米级后,加入0.5wt。/。聚乙烯醇作为粘结剂造粒成型,然后在1100- 1250。C下保温2小时进行烧结,从而得到电致伸缩材料。将所制备的电致伸缩材料磨加工成相应尺寸的元件,再对表面进行抛光,然后采用烧渗银法镀上银电极,烧渗银的温度为700°C,保温时间为1小时,测试其电性能。表1是实施例1在不同条件下的电性能。表1烧结温度预烧温度损耗 tg5 (% )形变 S(1(T3) (kV/腿)耐击穿强度 E (kV/腿)1100謹3.00.625.812009002.50.626.2125010003.20.425.2:1 )以化学纯的PbO、 Ti02、 Mg(OH)2、 Nb205、 La203、 Sc203、 Bi203 为原料,按组成式Pba98Lao.o2(Mg1/3Nb2/3)。.。5Tio.9503+ 0.3 mol% Sc203+ 0.1 mol% Bi203的化学计量比称量;2)首先以Mg(OH)2和Nb205为原料,先经过850。C下保温1.5小时合 成MgNb206,然后与PbO、 Ti02、 La203、 Sc203、 Bi203按相应配比进行混 料球磨,在850。C下保温1.5小时二次合成铌镁酸铅粉料;3 )将步骤2 )得到的二次合成铌镁酸铅粉料再次球磨成微米级后,加 入0.5wt。/。聚乙烯醇作为粘结剂造粒成型,然后在1200。C下保温2小时进 行烧结,从而得到电致伸缩材料。然后对所制备的电致伸缩材料采用与实施例l相同的加工工艺,测试 其电性能。:1)以化学纯的PbO、 Ti02、 Mg(OH)2、 Nb2Os、 Sc203、 0203本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致伸缩材料的制备方法,包括以下步骤: 1)以PbO、TiO↓[2]、Mg(OH)↓[2]、Nb↓[2]O↓[5]、SrCO↓[3]、La↓[2]O↓[3]、Sc↓[2]O↓[3]、Cr↓[2]O↓[3]、Bi↓[2]O↓[3]为 原料,按照以下组成式的化学计量比称量: Pb↓[1-α]M↓[α](Mg↓[1/3]Nb↓[2/3])↓[β]Ti↓[1-β]O↓[3]+x mol% Sc↓[2]O↓[3]+y mol% Lm↓[2]O↓[3],其中:   0≤α≤0.05 0.05≤β≤0.15 0<x<0.5,0<y<0.5,0<x+y≤0.5 式中M为Sr或La,Lm↓[2]O↓[3]为Bi↓[2]O↓[3]或Cr↓[2]O↓[3]。 2)首先将Mg(OH)↓[ 2]和Nb↓[2]O↓[5]经过800~1000℃下1~2.5小时合成MgNb↓[2]O↓[6],然后与其他原料按相应配比进行混料球磨,在800~1000℃下1~2.5小时二次合成铌镁酸铅粉料; 3)将步骤2)得到的二次合成铌镁酸铅粉 料再次球磨成微米级后,加入0.5wt%聚乙烯醇作为粘结剂造粒成型,然后在1100~1250℃下保温1~3小时进行烧结。...

【技术特征摘要】
1. 一种电致伸缩材料的制备方法,包括以下步骤1)以PbO、TiO2、Mg(OH)2、Nb2O5、SrCO3、La2O3、Sc2O3、Cr2O3、Bi2O3为原料,按照以下组成式的化学计量比称量Pb1-αMα(Mg1/3Nb2/3)βTi1-βO3+x mol% Sc2O3+y mol% Lm2O3,其中0≤α≤0. 050. 05≤β≤0.150<x<0. 5,0<y<0.5,0<x+y≤0.5式中M为Sr或La,Lm2O3为Bi2O3或Cr2O3。2)首先将Mg(OH)2和Nb2O5经过800~1000℃下1~2.5小时合成MgN...

【专利技术属性】
技术研发人员:温建强蔡海荣
申请(专利权)人:中国科学院声学研究所
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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