半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制作方法，包含一衬底、多个栅极位于该衬底上、多个间隔壁位于每个该些栅极的两侧、一接触刻蚀停止层位于该些栅极与该些间隔壁上、以及多个接触件位于该些间隔壁之间，其中该些接触件与两侧的该些间隔壁直接接触，同时与衬底直接接触。同时与衬底直接接触。同时与衬底直接接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本专利技术公开的实施方式涉及一种半导体结构及其制作方法，更具体来说，其涉及一种具有特殊接触件的半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]由于小尺寸、多功能和/或低制造成本等特性，半导体器件已被广泛地用于电子产业中。半导体器件可以分为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储器件和逻辑器件两者的功能的混合式器件。
[0003]—些半导体器件可以包括垂直堆叠的层结构图案和将堆叠图案彼此电连接的接触件或互连结构。由于半导体器件不断地微缩并提高积集度，这类图案之间的间距和/或图案与接触插塞之间的间距也不断地减少。对此，如何提高接触件与衬底的接触面积并且增加其对准的精确度为目前本领域所需持续研究改进的要点。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出了一种新颖的半导体结构及其制作方法，其特征在于接触件与两侧栅极结构的间隔壁直接接触且具有特殊的截面外型，且其制作方法可提高接触件与衬底的接触面积并达到精确的自我对准效果。
[0005]本专利技术的面向之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一衬底；多个栅极，位于该衬底上；多个间隔壁，位于每个该些栅极的两侧；一接触刻蚀停止层，位于该些栅极与该些间隔壁上；以及多个接触件，位于该些间隔壁之间，其中该些接触件与两侧的该些间隔壁直接接触，同时与所述衬底直接接触。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包含一层间电介质层覆盖在该接触刻蚀停止层上，该些接触件穿过该层间电介质层。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该接触刻蚀停止层的材料相对于该层间电介质层的材料具有刻蚀选择性。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，更包含一电介质层覆盖在该层间电介质层上，该些接触件穿过该电介质层。5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，更包含一互连层位于该电介质层中，该互连层与至少一该些接触件一体成形。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该栅极从该基底往上依序包含一栅极电介质层、一下导电层、一阻障层、一上金属层以及一硬掩膜层。7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该接触刻蚀停止层与栅极电介质层相接触。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该接触件由下而上更包含一下段部位、一中段部以及一上段部位，其中该中段部位的最大宽度大于该下段部位的最大宽度复又大于该上段部位的最大宽度。9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该下段部位为与该间隔壁直接接触的部位。10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：