【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和其制造方法
[0001]本公开大体上涉及一种基于氮化物的半导体装置。更确切地说，本公开涉及一种p沟道增强模式半导体装置，其具有应力调制层以形成非连续二维空穴气(2DHG)区。
技术介绍
[0002]近年来，对高空穴迁移率晶体管(HHMT)的大量研究已在盛行，尤其对于高功率开关和高频应用。基于III
‑
氮化物的HHMT利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面来形成适应二维空穴气(2DHG)区的量子阱类结构，从而满足高功率/频率装置的需求。在实际需求方面，HHMT需要设计成常关的。然而，归因于工艺因素，常关HHMT的研发遇到制造挑战。目前，需要改进常关HHMT的良率，由此使其适合于大批量生产。
技术实现思路
[0003]根据本公开的一个方面，提供一种半导体装置。半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、源极电极、漏极电极、钝化层、应力调制层和栅极电极。第二基于氮化物的半导体层安置在第一基于氮化物的半导体层上，且具有小于第一基于氮化物的半导体层的带隙的带隙，以...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其包括：第一基于氮化物的半导体层；第二基于氮化物的半导体层，其安置在所述第一基于氮化物的半导体层上，且具有小于所述第一基于氮化物的半导体层的带隙的带隙，以在其间形成具有二维空穴气(2DHG)区的异质结；源极电极和漏极电极，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方；钝化层，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方和所述源极电极与所述漏极电极之间；应力调制层，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，且沿着所述钝化层的至少一个侧壁延伸以与所述第二基于氮化物的半导体层接触，以便形成界面；以及栅极电极，其安置在所述应力调制层上方和所述源极电极与所述漏极电极之间，其中所述栅极电极位于所述应力调制层与所述第二基于氮化物的半导体层之间的所述界面正上方。2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述应力调制层从所述钝化层的顶部表面延伸。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述应力调制层完全填充在所述钝化层的所述侧壁之间的区中。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述应力调制层具有第一部分和第二部分，所述第一部分在所述钝化层的顶部表面上方，且所述第二部分与所述第二基于氮化物的半导体层接触且连接到所述第一部分。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述栅极电极覆盖所述应力调制层的所述第一部分和所述第二部分。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述栅极电极具有由所述应力调制层收纳的朝下突出部分。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述应力调制层具有与所述第二基于氮化物的半导体层的晶格常数和带隙不同的晶格常数和带隙。8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述应力调制层包括AlN、BN、AlBN、GaN或其组合。9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述源极电极比所述漏极电极更接近在所述应力调制层与所述第二基于氮化物的半导体层之间形成的所述界面。10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述栅极电极具有在高于所述钝化层的位置中且与所述应力调制层接触的最底部表面。11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中形成于所述应力调制层与所述第二基于氮化物的半导体层之间的所述界面是长方形，所述长方形在所述半导体装置的俯视图中具有与所述源极电极和所述漏极电极平行的长边。12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其进一步包括：第一掺杂基于氮化物的半导体层，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层与所述源极电极之间；以及第二掺杂基于氮化物的半导体层，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层与所述漏
极电极之间，其中所述钝化层邻靠所述第一掺杂基于氮化物的半导体层和所述第二掺杂基于氮化物的半导体层的侧壁。13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中整个所述应力调制层在低于所述钝化层的顶部表面的位置中。14.根据前...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，陈扶，黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。