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一种半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层和第二基于氮化物的半导体层、源极电极、漏极电极、钝化层、应力调制层和栅极电极。所述应力调制层安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，且沿着所述钝化层的至少一个侧壁延伸以与所述第二基于氮化物的半导体层...
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