具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管制造技术

本发明专利技术涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H

【技术实现步骤摘要】
具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H
‑
SiC金属半导体场效应管


[0001]本专利技术涉及场效应晶体管
，特别是一种同时具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H
‑
SiC金属半导体场效应晶体管。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代新型半导体材料在很多方面都表现出优异的特性，例如，它具有2
‑4×
106V/cm的高击穿电场、3.3eV的较宽的禁带、3.5W/(cm
·
K)的高热导率以及2.7
×
107cm/s的高电子饱和速度等优良特性。在SiC的众多同质异形体中，4H
‑
SiC的电子饱和速度高及电子迁移率高(4H
‑
SiC的电子迁移率大约是6H
‑
SiC的两倍左右)，并且其施主杂质的离化能比较小以及各向异性较低，这其综合性能表现最为优越。因此，在射频微波功率器件中，4H
‑
SiC是最理想的功率器件材料的选择，具有很强的竞争力。
[0003]目前多数4H
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H
‑
SiC金属半导体场效应管，其特征在于，自下而上包括4H
‑
SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述栅电极与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述凹陷栅漏飘移区的表面靠近栅角处设有P型掺杂区，所述栅源飘移区下方的P型缓冲层向下凹陷形成凹陷缓冲层。2.根据权利要求1所述具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H
‑
SiC金属半导体场效应管，其特征在于，所述P型掺杂区以栅电极靠近漏极帽层的一侧边缘为起点，长度为0.2～0.5μm，深度为0.05μm。3.根据权利要求1所述具有P型掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾护军，张云帆，朱顺威，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：