一种高可靠性的终端结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高可靠性的终端结构，涉及终端结构技术领域。衬底下方设置有漏极、上方设置有n型缓冲区，n型缓冲区内部设置有规律排布的p型阱，p型阱上方设置有栅氧氧化层和多晶层，BODY I区P阱和BODY II区P阱内置n+型源级和p+型短路区，源级金属电极设置在BODY I区P阱和BODY II区P阱上方，栅极金属电极设置在BODY II区P阱和RING I区P阱上方，RING II区浮空金属电极设置在RING II区上方，终端末端金属电极设置在终端末端P阱上方。本实用新型专利技术在漂移区内设置BODY I区、BODY II区、RING I区和RING II区，相互分离，有效降低高温反偏漏电。反偏漏电。反偏漏电。

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性的终端结构


[0001]本技术涉及终端结构
，特别涉及一种高可靠性的终端结构。

技术介绍

[0002]电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。一方面，功率半导体器件在工作过程中受功率影响，产生热量，会引起器件温度的上升，热量主要产生在结处，会引起击穿漏电。另一方面，目前我国新型电力电子器件主要有声效应功率晶体管(VDMOS)及绝缘栅晶体管(IGBT)类器件，由于汽车电子类应用的要求不断提高，相应的汽车电子器件可靠性要求也不断提高，越来越多的厂商将高温反向偏置实验(HTRB)标准提高、收严，对器件产品的终端设计提出更严峻的考验。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种高可靠性的终端结构，通过设置RINGI区，同时将BODYI区、BODYII区、RINGI区和RINGII区结构分离，可有效降低高温反偏漏电。
[0004]具体技术方案是一种高可靠性的终端结构，包括衬底，所述衬底下方设置有漏极、上方设置有n型缓冲区，所述n型缓冲区内部设置有规律排布的p型阱，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性的终端结构，其特征在于，包括衬底(2)，所述衬底(2)下方设置有漏极(1)、上方设置有n型缓冲区(3)，所述n型缓冲区(3)内部设置有规律排布的p型阱，所述p型阱包括：BODY I区P阱(7)、BODY II区P阱(6)、RING I区P阱(5)、RING II区P阱(4)和终端末端P阱(8)，所述p型阱上方设置有栅氧氧化层(9)和多晶层(10)，所述RING I区P阱(5)上方设置有PSG保护层(11)，所述BODY I区P阱(7)和所述BODY II区P阱(6)内置n+型源级(17)和p+型短路区(18)，源级金属电极(13)设置在所述BODY I区P阱(7)和所述BODY II区P阱(6)上方，栅极金属电极(14)设置在所述BODY II区P阱(6)和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永利，王新强，王丕龙，刘文，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：