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本实用新型提供了一种高可靠性的终端结构，涉及终端结构技术领域。衬底下方设置有漏极、上方设置有n型缓冲区，n型缓冲区内部设置有规律排布的p型阱，p型阱上方设置有栅氧氧化层和多晶层，BODY I区P阱和BODY II区P阱内置n+型源级和p+型...
该专利属于青岛佳恩半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛佳恩半导体科技有限公司授权不得商用。

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