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本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，包含一衬底、多个栅极位于该衬底上、多个间隔壁位于每个该些栅极的两侧、一接触刻蚀停止层位于该些栅极与该些间隔壁上、以及多个接触件位于该些间隔壁之间，其中该些接触件与两侧的该些间隔壁直接接触，同时与衬底直...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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