半穿透半反射式像素结构制造技术

一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，其包括一扫描配线，配置在基板上；一闸介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于闸介电层上；一保护层，配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线；一透明像素电极，配置于保护层上；一反射像素电极，配置在暴露的闸介电层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极，源极与资料配线电性连接，二漏极分别与透明像素电极以及反射像素电极电性连接，而闸极与扫描配线电性连接。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，且特别是有关于一种半穿透半反射式像素结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管数组基板、彩色滤光数组基板和液晶层所构成，其中薄膜晶体管数组基板是由多个以数组排列像素结构所组成，其包括多个薄膜晶体管以及与每一薄膜晶体管对应配置的一像素电极。而上述的薄膜晶体管包括闸极、信道层、漏极与源极，薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关组件。附图说明图1所示，显示为现有一像素结构的上视示意图；图2为图1由I-I＇线的剖面示意图。请同时参照图1与图2，现有像素结构的制造方法首先在一基板100上形成一闸极102以及一扫瞄配线101，其中扫瞄配线101与闸极102连接。之后，在基板100上形成一闸介电层104，覆盖住闸极102以及扫瞄配线101。接着，于闸极102上方的闸介电层104上形成一非晶硅信道层106，并且在非晶硅信道层106上形成一欧姆接触层108。之后，在欧姆接触层108上形成一源极/漏极112a/112b，并且同时于闸介电层104上定义出与源极112a连接的一数据配线111，其中闸极102、信道层106与源极/漏极112a/112b构成一薄膜晶体管130。继之，于在基板100的上方形成一保护层114，覆盖住薄膜晶体管130，并且将保护层114图案化，以在保护层114中形成一开口116。之后，再于保护层114上形成一像素电极118，其中像素电极118通过开口116而与薄膜晶体管130的漏极112b电性连接。另外，在此像素结构中，在相邻于此像素结构的一扫瞄配线101a上更包括形成有一像素储存电容器120，其由扫瞄配线101a(作为一下电极)、对应形成于扫瞄配线101a上的一导电层124与像素电极118(作为一上电极)以及形成在下电极与上电极之间的闸介电层104所构成，其中导电层124与像素电极118之间透过形成在保护层114中的一开口126而电性连接。由上述的说明可知，现有像素结构的薄膜晶体管130配置在像素结构的一角落，用以驱动整个像素结构，而且其像素储存电容器120配置在另一扫瞄配线101a的上方。因此，此种像素结构的设计容易受到制程污染粒子的影响而失效，也就是，倘若有污染粒子附着在像素结构的某一处而造成短路等缺陷时，将可能导致整个像素结构无法正常运作。而且现有像素储存电容器120配置在扫瞄配线101a上的架构，由于扫瞄波形需多一阶的设计，因此在驱动电路的设计及制程上都会较为复杂。除此之外，现有半穿透半反射式液晶显示器中，大多是利用数个反射式像素结构与数个穿透式像素结构搭配的方式，或者是利用于基板上配置一半穿透膜的方式来达到半穿透半反射式的效果。然而现今仍未有现有技术揭露过在单一像素结构中同时存在有穿透式与反射式两种形式的结构，来达到半穿透半反射式的效果。因此，本技术的目的就是在提供一种半穿透半反射式像素结构，以解决现有像素结构的配置方式所会产生的问题。本技术的另一目的是提供一种半穿透半反射式像素结构，以使穿透式与反射式两种形式的结构能同时存在于一像素结构中。本技术提出一种半穿透半反射式像素结构，其适于架构在一基板上，此半穿透半反射式像素结构包括一扫描配线、一闸介电层、一资料配线、一保护层、一透明像素电极、一反射像素电极以及一双漏极薄膜晶体管(Double Drain TFT)。其中，扫描配线配置在基板上，闸介电层配置于基板上并覆盖住扫描配线。另外，数据配线配置于闸介电层上，且数据配线的延伸方向与扫描配线的延伸方向不同。此外，保护层配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线。而透明像素电极配置于保护层上，而且位于扫瞄配线上方的透明像素电极中更具有多个开口，以降低扫瞄配线与透明像素电极之间的寄生电容。另外，反射像素电极配置在暴露的闸介电层上，且反射像素电极与透明像素电极之面积可以相等或不相等。再者，双漏极薄膜晶体管配置于基板上，且此双漏极薄膜晶体管配置在像素结构的中央，其中双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极，源极与资料配线电性连接，二漏极分别与透明像素电极以及反射像素电极电性连接，信道层配置在闸极上方的闸介电层上，源极与二漏极配置在信道层上，而闸极与扫描配线电性连接。在本技术中，在此半穿透半反射式像素结构的两边缘处更包括分别配置有一第一像素储存电容器以及一第二像素储存电容器，其中第一像素储存电容器由配置在基板上的一第一共享线(作为一下电极)、对应配置在第一共享线上方的一导电层与透明像素电极(作为一上电极)以及配置在上电极以及下电极之间的闸介电层所构成，而导电层与透明像素电极之间透过配置于保护层中的一接触窗而彼此电性连接。另外，第二像素储存电容器由配置在基板上的一第二共享线(作为一下电极)、对应配置在第二共享线上方的反射像素电极(作为一上电极)以及配置在上电极以及下电极之间的闸介电层所构成。由于本技术于一像素结构中同时具有穿透式与反射式两种结构，因此此种像素结构用于液晶显示器中具有省电等半穿透半反射式液晶显示器所拥有的优点。由于本技术的像素结构的薄膜晶体管配置在像素结构的中央，且薄膜晶体管的两个漏极同时驱动其两侧的像素电极，因此本技术的像素结构较不会受到制程微粒的影响而导致整个像素结构无法正常运作。本技术将薄膜晶体管配置在像素结构中央的位置，可以使像素电极上电场分布较为均匀，因此此种配置方式对于显示有正面帮助。由于本技术的像素结构中的像素储存电容器并非如现有配置在扫瞄配线的上方，因此相较于现有像素结构的架构，本技术在驱动电路的设计上较为简化。为让本技术的的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下附图的说明图1为现有一像素结构的上视示意图；图2为图1由I-I＇的剖面示意图；图3是依照本技术一较佳实施例的像素结构的上视示意图；图4为图3由II-II＇的剖面示意图；以及图5是依照本技术另一较佳实施例的像素结构的上视示意图。具体实施方式图3所示，其绘示为依照本技术一较佳实施例的像素结构的上视图；图4所示，其为图3中由II-II＇的剖面示意图。请参照图3与图4，本技术的像素结构的制造方法首先提供一基板200，其中基板200例如是一透明玻璃基板或是一透明塑料基板。接着，在基板200上形成一扫瞄配线201以及一闸极202，其中扫瞄配线201与闸极202连接。之后，在基板200上全面性的形成一闸介电层204，覆盖住扫瞄配线201以与门极202。其中闸介电层204的材质例如氮化硅或是氧化硅等介电材质。接着，在闸极202上方的闸介电层204上形成一信道层206，其中信道层206的材质例如是非晶硅。接着，在信道层206上形成一源极212a以及二漏极212b、212c，并且同时在闸介电层204上形成与源极212a电性连接的一资料配线211以及一反射像素电极221，其中反射像素电极221与漏极212c电性连接。而上述所形成的闸极202、信道层206、源极212a以及二漏极212b、212c构成一双漏极薄膜晶体管(Double DrainTFT)230，且双漏极薄膜晶体管230配置在整个像素结构的中央。在本技术中，在信道层206以及源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半穿透半反射式像素结构，架构在一基板上，其特征在于，该半穿透半反射式像素结构包括：双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极；扫瞄配线，配置在该基板上，且 该扫瞄配线与该双漏极薄膜晶体管的该闸极电性连接；数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该资料配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电性连接；透明像素电极，配置于该基板上，其中该透明像素电极与该双漏 极薄膜晶体管的其中一个所述二漏极电性连接；以及反射像素电极，配置在该基板上，其中该反射像素电极与该双漏极薄膜晶体管的另一所述二漏极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种半穿透半反射式像素结构，架构在一基板上，其特征在于，该半穿透半反射式像素结构包括双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极；扫瞄配线，配置在该基板上，且该扫瞄配线与该双漏极薄膜晶体管的该闸极电性连接；数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该资料配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电性连接；透明像素电极，配置于该基板上，其中该透明像素电极与该双漏极薄膜晶体管的其中一个所述二漏极电性连接；以及反射像素电极，配置在该基板上，其中该反射像素电极与该双漏极薄膜晶体管的另一所述二漏极电性连接。2.如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该透明像素电极的面积与该反射像素电极的面积相同。3.如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该透明像素电极的面积与该反射像素电极的面积不相同。4.如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕安序，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]