【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种发光二极管的结构。化合物半导体组件在通讯及显示器方面有广泛的用途,近年来由于对蓝光光源的需求,氮化镓系III-V族化合物半导体(GaN based III-Vcompound semiconductor)由于是直接能隙,且具有2.0-6.4eV的能隙范围,因此更是成为研发的重点。氮化镓系III-V族化合物半导体一般主要组成成份为氮化铟镓,氮化铝镓及氮化铝铟镓。美国专利NO,5,563,422由日本Nichia公司所提出的专利,揭示了一种氮化镓系III-V族化合物半导体制造方法,其明确使用单晶氮化镓系III-V族化合物半导体制作发光二极管,然而,使用单晶氮化镓系化合物半导体制作组件会有成本高,合格率低的问题。因此本技术的目的即在提供一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,以改善良好率并降低成本。为达此目的,本技术揭示一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,具有低成本及高良好率的优点。为达此目的,本技术揭示非晶系AlInGaN发光二极装置,包括在一蓝宝石基板上依序形成的一n型非晶系化合物半导体层、一p/n非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、第二p型非晶系化合物半导体层及第一p型非晶系化合物半导体层。借以在其间提供pn接面,以实现低成本及高良好率的非晶系AlInGaN发光二极管结构。为使本技术的步骤,功效及特点更为人所了解,此举实施例并配合附图,说明本技术的较佳实现方式附图说明图1为依据本技术(非晶系AlInGaN发光二极管结构)一具体实例组件结构图。较佳具体实例详细说明参见图1,依据本技术(非晶系AlInGaN发光二极管结 ...
【技术保护点】
一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,其特征在于,包括:在一蓝宝石基板上上依序形成的及一n型非晶系化合物半导体层、一p/n非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、第二p型非晶系化合物半导体层及第一p型非晶系化合物半导体层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,其特征在于,包括在一蓝宝石基板上上依序形成的及一n型非晶系化合物半导体层、一p/n非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、第二p型非晶系化合物半导体层及第一p型非晶系化合物半导体层。2.如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构,其特征在于,p型杂质可为锌,镁,铍,锶及/或钙,杂质浓度为1014-22EA/cm3。3.如权利要求一的非晶系AlInGa...
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