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一种非晶系ＡｌＩｎＧａＮ发光二极管结构，在一蓝宝石基材之上，用气相成多层非晶系化合物半导体层，分别加入ｉ型，ｐ型（及／或）ｎ型杂质，以形成发光二极管组件结构，达到低成本，高良好率的效果。...
该专利属于赵汝杰所有，仅供学习研究参考，未经过赵汝杰授权不得商用。

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