【技术实现步骤摘要】
一种实时时钟芯片的测试系统及其方法
[0001]本专利技术涉及时钟芯片测试领域,具体为一种实时时钟芯片的测试系统及其方法。
技术介绍
[0002]时钟芯片计时精度误差源于晶体振荡电路的频率误差,而晶体振荡频率都会受到环境温度影响,如果不做补偿或纠偏处理,在极端温度范围内计时精度误差会很大,在
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40℃时会达到
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140PPM的精度误差.虽然目前已有精度补偿的方法,但是这些方法的补偿效果不佳,在宽温范围内的误差始终不能批量达到
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5PPM以内。其原因之一是因为不同的时钟芯片使用了同一组补偿数据,然而不同时钟芯片内置晶体不同,不同的晶体的精度温度特性曲线是有差异的,包含了一次、二次、三次与四次温度系数的差异,导致不同晶体在两个相邻温度点的精度变化不同,特别是靠近高低温两端温度范围特性曲线斜率大,这种差异累计起来使得两个不同的晶体精度差值在环境温度
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40℃或85℃时最大有40PPM左右;另外不同的晶体的顶点温度的也是具有差异的,最大能够达到
± />5℃,而极端温度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,包括电路测试板、频率计、高低温测试箱;所述电路测试板包括微控制器与时钟芯片测试位;所述微控制器用于读取待测时钟芯片内置温度传感器的温度值,并控制待测时钟芯片调整内置晶体负载电容值,控制待测时钟芯片输出频率信号,并读取高精度频率计的频率值,对每一片待测时钟芯片进行温度特性测量,并计算出晶体负载电容温度特性曲线的顶点温度值和对应待测时钟芯片在恒定频率值下晶体负载电容的温度特性曲线的补偿数据;所述时钟芯片测试位用于放置多片待测时钟芯片;所述频率计用于测量待测时钟芯片输出频率值;所述高低温测试箱用于提供不同温度的测试环境。2.根据权利要求1所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述不同温度的测试环境包括晶体厂家标称顶点温度、
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40℃、
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20℃、65℃、85℃的温度测试环境。3.根据权利要求1所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述微控制器还包括用于计算当前频率值的精度误差是否在预设的阀值内,如果在预设的阀值内,微控制器存储当前环境温度下待测时钟芯片内置温度传感器的温度值与内置晶体负载电容值。4.根据权利要求1所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述频率计为高精度频率计。5.根据权利要求1
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4任一项所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述电路测试板还包括频率输出端口、电路测试板测试数据接口;所述频率输出端口用于连接频率计测试输入端口;所述电路测试板测试数据接口用于连接频率计的测试数据接口。6.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈稳,陈定文,
申请(专利权)人:深圳市兴威帆电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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