薄膜电容器以及薄膜电容器用薄膜制造技术

本发明专利技术的薄膜电容器具备：电介质树脂薄膜，具有在厚度方向上相对的第1面以及第2面；以及金属层，设置在上述电介质树脂薄膜的上述第1面，其中，在上述电介质树脂薄膜的上述第1面的表面，在每5μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器以及薄膜电容器用薄膜


[0001]本专利技术涉及薄膜电容器以及薄膜电容器用薄膜。

技术介绍

[0002]作为电容器的一种，有如下构造的薄膜电容器，即，使用具有可挠性的树脂薄膜作为电介质，同时配置了隔着树脂薄膜相互对置的第1对置电极以及第2对置电极。这样的薄膜电容器例如通过将形成有第1对置电极的树脂薄膜和形成有第2对置电极的树脂薄膜进行卷绕或者层叠而制作。
[0003]例如，在专利文献1公开了如下的薄膜电容器，即，具备：电介质树脂薄膜，设为相互重叠的形态；第1对置电极以及第2对置电极，配置为隔着上述电介质树脂薄膜相互对置；和第1端子电极以及第2端子电极，与上述第1对置电极以及第2对置电极分别电连接，上述电介质树脂薄膜的至少一个主面的表面粗糙度Ra为3nm以上且1000nm以下，构成为作为树脂成分而具有玻璃化转变点为130℃以上的热固化性树脂，在氮气中以10℃/分钟的升温速度对上述树脂成分的热重量变化率进行了测定时的、500℃下的热分解残留物重量为40重量％以下。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电容器，具备：电介质树脂薄膜，具有在厚度方向上相对的第1面以及第2面；以及金属层，设置在所述电介质树脂薄膜的所述第1面，其中，在所述电介质树脂薄膜的所述第1面的表面，在每5μm
×
5μm的面积存在25个以上且125个以下的长径为30nm以上且800nm以下的第1凹陷。2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，在所述电介质树脂薄膜的所述第2面的表面，在每13μm
×
13μm的面积存在3个以上且11个以下的长径为100nm以上且800nm以下的第2凹陷。3.根据权利要求1或2所述的薄膜电容器，其中，在所述金属层的表面，追随所述第1凹陷，在每5μm
×
5μm的面积存在25个以上且125个以下的长径为30nm以上且800nm以下的第3凹陷。4.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，在所述金属层设置有熔断器部，所述熔断器部在所述厚度方向上与所述第3凹陷重叠。5.一种薄膜电容器，具备：电介质树脂薄膜，具有在厚度方向上相对的第1面以及第2面；以及金属层，设置在所述电介质树脂薄膜的所述第1面，其中，在所述电介质树脂薄膜的所述第1面的表面存在第1凹陷，在所述金属层的表面，追随所述第1凹陷，在每5μm
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5μm的面积存在25个以上且125个以下的长径为30nm以上且800nm以下的第3凹陷。6.根据权利要求5所述的薄膜电容器，其中，在所述电介质树脂薄膜的所述第2面的表面，在每13μm
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13μm的面积存在3个以上且11个以下的长径为100nm以上且800nm以下的第2凹陷。7.根据权利要求5或6所述的薄膜电容器，其中，在所述金属层设置有熔断器部，所述熔断器部在所述厚度方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻仓智生，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：