【技术实现步骤摘要】
本技术涉及工业仪表，可测量压力、差压值的一种压力传感器。
技术介绍
压力/差压变送器是自动化控制领域中不可缺少的关键仪表，而压力/差压传感器又是压力变送器的核心部件。硅电容压力敏感器件作为传感器的新型结构，它的引线、封装较特殊，结构设计对硅电容传感器性能、稳定性、动态响应特性有直接影响。
技术实现思路
技术的目的是提供一种硅电容压力敏感器件封装结构，该传感器结构悬在受压环境中，适用于压力/差压变送器。硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各件均焊接在基座上成一体。本结构设计的积极效果是这种硅电容压力敏感器件封装结构，由引压导管支撑传感器本体，使之悬浮在受压腔体内，当加压时受静压的影响减弱。因此，该传感器的耐受性、可靠性增强，稳定性更好。附图说明附图1是本设计的压力传感器硅电容结构示意图；具体实施方式硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，见图1其特征在于基座1体内中段相对地设置挡块4和挡块8，将硅电容芯片3置于挡块4上，并用填充陶瓷块5垫在与基座1的间隙中，硅电容3的三条引线由相邻的引线座2导出，引线座2位于基座1一端，正负腔引压导管6通过转接件7置于基座1另一端，上述各件均焊接在基座1内成一体。
【技术保护点】
一种硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各件均焊接在基座内成一体。
【技术特征摘要】
1.一种硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙海玮，张治国，刘沁，陈信琦，
申请(专利权)人：沈阳仪表科学研究院，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]
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