【技术实现步骤摘要】
发光芯片及其制作方法、显示面板
[0001]本专利技术涉及显示
,特别涉及一种发光芯片、一种发光芯片的制作方法、以及包括该发光芯片或该方法制作的发光芯片的显示面板。
技术介绍
[0002]发光芯片通过以光子辐射释放能量的辐射复合实现发光。由于侧壁表面处的能带易发生弯曲,因此在发光芯片的侧壁位置会出现以非光子辐射形成的非辐射复合。也即,发光芯片的侧壁是向发光芯片中注入的空穴和电子进行非辐射复合的接收侧。目前,随着将Micro LED尺寸的缩小,发光芯片侧壁的面积占比增加,位于发光芯片侧壁上的空穴和电子的非辐射复合率相应提高,过高的非辐射复合会影响发光芯片的发光效率。
技术实现思路
[0003]鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种发光芯片、一种发光芯片的制作方法、以及包括该发光芯片的显示面板,能够解决发光芯片上因侧壁的面积占比增加,导致发光芯片侧壁上的非辐射复合增加,进而降低发光芯片的发光效率的问题。
[0004]一种发光芯片,包括依次层叠的第一电极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光芯片,其特征在于,包括依次层叠的第一电极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及第二电极层;所述空穴注入层中设有第一电阻区,所述第一电阻区围设于所述空穴注入层的边缘,所述第一电阻区具有第一阻值,且所述第一阻值高于所述空穴注入层的电阻值;所述电子注入层中设有第二电阻区,所述第二电阻区也围设于所述电子注入层的边缘,所述第二电阻区具有第二阻值,且所述第二阻值也高于所述电子注入层的电阻值。2.如权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,在所述第一电极层至所述第二电极层的层叠方向上,所述第一电阻区与所述发光层之间具有第一间隙,所述第二电阻区与所述发光层之间具有第二间隙。3.如权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,所述第一间隙的厚度为所述空穴注入层厚度的1/4
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1/3,所述第二间隙的厚度为所述电子注入层厚度的1/8
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1/6。4.如权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述第一电阻区和所述第二电阻区的阻值ρ均满足条件:ρ>108Ω
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m。5.如权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,在垂直于所述第一电极层至所述第二电极层的层叠方向的平面上,所述第一电阻区和所述第二电阻区的宽度L3均满足条件:L3≥1μm。6.一种发光芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上制作依次层叠的电子注入层、发光层和空穴注入层;对所述空穴注入层的边缘进行离子布植以形成第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员:王涛,伍凯义,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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