量子点发光器件及其制备方法技术

一种量子点发光器件及其制备方法，属于发光器件技术领域。量子点发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、绝缘金属氧化物层、电子传输层和阴极。其能够提高空穴迁移率，增大激子复合率，增强量子点发光器件的寿命和效率。量子点发光器件的寿命和效率。量子点发光器件的寿命和效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法


[0001]本申请涉及发光器件
，具体而言，涉及一种量子点发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点技术已广泛应用于发光二极管、太阳能电池、生物成像和探测器等诸多方面。其中量子点发光二极管(QLED)由于具有高色纯度、发光颜色可调、稳定性好等优点而成为下一代显示技术的有利竞争者。但是目前QLED的研究工作大部分还停留在实验阶段，一直限制其产业化脚步的主要原因是器件的效率和寿命问题。这主要是在常见的QLED中，电子传输层的材料为无机材料，电子迁移率较高，能够容易地注入到量子点层，而空穴传输层这一侧，空穴传输层中的有机物由于分子间是通过范德华力相互作用，其迁移率小于无机材料，从而导致电子和空穴注入不平衡，降低量子点层中形成激子的概率。同时电荷不平衡导致在量子点层电子的大量积累，使得量子点处于充电状态，这又会造成俄歇复合过程，俄歇复合会降低量子点的发光效率，进而影响器件的性能。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种量子点发光器件及其制备方法，其能够提高空穴迁移率，增大激子复合铝，增强量子点发光器件的寿命和效率。
[0004]本申请实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、绝缘金属氧化物层、电子传输层和阴极。
[0006]第二方面，本申请实施例提供一种量子点发光器件的制备方法，包括：
[0007]制备阳极，在阳极的表面制备空穴注入层；
[0008]在空穴注入层的表面形成空穴传输层；
[0009]在空穴传输层的表面形成量子点发光层；
[0010]在量子点发光层的表面形成绝缘金属氧化物层；
[0011]在绝缘金属氧化物层的表面形成电子传输层；
[0012]在电子传输层的表面形成阴极。
[0013]本申请实施例至少具有如下有益效果：
[0014]本申请实施例的量子点发光器件中，量子点发光层和电子传输层之间具有绝缘金属氧化物层，绝缘金属氧化物层能够阻碍过多的电子跃迁至量子点发光层，有效减少无辐射复合，从而提高量子点发光器件的发光效率和寿命。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对
范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0016]图1为本申请具体实施方式的量子点发光器件的结构示意图；
[0017]图2为本申请实施例1的量子点发光器件发光时的照片；
[0018]图3为本申请对比例1的量子点发光器件发光时的照片。
[0019]图标：10
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量子点发光器件；11
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阳极；12
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空穴注入层；13
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空穴传输层；14
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量子点发光层；15
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绝缘金属氧化物层；16
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电子传输层；17
‑
阴极。
具体实施方式
[0020]下面将结合实施例对本申请的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本申请，而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0021]以下针对本申请实施例的量子点发光器件10及其制备方法进行具体说明：
[0022]第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光器件10，请参照图1，其包括依次层叠设置的阳极11、空穴注入层12、空穴传输层13、量子点发光层14、绝缘金属氧化物层15、电子传输层16和阴极17。
[0023]本申请实施例的量子点发光器件10中，量子点发光层14和电子传输层16之间具有绝缘金属氧化物层15，绝缘金属氧化物层15能够阻碍过多的电子跃迁至量子点发光层14，有效减少无辐射复合，从而提高量子点发光器件10的发光效率和寿命。因为过多的无辐射复合会导致发光效率降低，且产生的焦耳热会破坏器件的稳定性。另外，绝缘金属氧化物层15还能够提高量子点发光层14中的量子点的热稳定性，抵抗水和空气的干扰。
[0024]另外，本申请的专利技术人在研究中发现，由于量子点发光器件10中的多子一般为电子，如果将绝缘金属氧化物层15设置在空穴传输层13和量子点发光层14之间，也无法有效抑制电子穿透至量子点发光层14，从而会导致量子点发光层14剂空穴传输层13产生多余的电子，造成量子点发光器件10的发光效率下降。
[0025]可选地，绝缘金属氧化物层15包括Al2O3和MgO中的至少一种。
[0026]在一些实施方案中，绝缘金属氧化物层15的厚度为5～8nm。
[0027]本申请的专利技术人在研究中发现，如果绝缘金属氧化物层15的厚度太厚，会导致电子不能穿透绝缘金属氧化物层15，导致量子点发光器件10不导电；而如果绝缘金属氧化物层15太薄，则对电子的阻碍作用较弱，减少无辐射复合的程度较弱，量子点发光器件10的发光效率提高程度较低。而绝缘金属氧化物层15的厚度为5～8nm时，既能够保证量子点发光器件10导电，也能较好地提高量子点发光器件10的发光效率。
[0028]可选地，电子传输层16中的材料包括ZnO、TiO2、SnO2和Alq3中的至少一种。
[0029]可选地，空穴传输层13的材料包括空穴传输层13的材料包括TFB、PVK、TCTA、TPD、Poly
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TPD和CBP中的至少一种。
[0030]可选地，空穴注入层12的材料包括PEDOT:PSS、PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO
‑
co
‑
NEPBN、PFO
‑
co
‑
NEPBN:F4
‑
TCNQ、MoOx、WOx、NiO和CuO中的至少一种。
[0031]在一种实施方案中，量子点发光层14中的量子点包括II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化
合物、II
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V族化合物、III
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VI化合物、IV
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VI族化合物、I
‑
III
‑
VI族化合物、II
‑
IV
‑
VI族化合物和IV族单质中的至少一种。需要说明的是，量子点可以是二元化合物、三元化合物或四元化合物。
[0032]示例性地，量子点发光层14中的量子点包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、绝缘金属氧化物层、电子传输层和阴极。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层包括Al2O3和MgO中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层的厚度为5～8nm。4.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层中的材料包括ZnO、TiO2、SnO2和Alq3中的至少一种。5.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括TFB、PVK、TCTA、TPD、Poly
‑
TPD和CBP中的至少一种。6.一种如权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：提供所述阳极，在所述阳极的表面制备空穴注入层；在所述空穴注入层的表面形成所述空穴传输层；在所述空穴传输层的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏生，程陆玲，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：