量子点发光器件及其制备方法技术

一种量子点发光器件及其制备方法，属于发光器件技术领域。量子点发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、绝缘金属氧化物层、电子传输层和阴极。其能够提高空穴迁移率，增大激子复合率，增强量子点发光器件的寿命和效率。量子点发光器件的寿命和效率。量子点发光器件的寿命和效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法


[0001]本申请涉及发光器件
，具体而言，涉及一种量子点发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点技术已广泛应用于发光二极管、太阳能电池、生物成像和探测器等诸多方面。其中量子点发光二极管(QLED)由于具有高色纯度、发光颜色可调、稳定性好等优点而成为下一代显示技术的有利竞争者。但是目前QLED的研究工作大部分还停留在实验阶段，一直限制其产业化脚步的主要原因是器件的效率和寿命问题。这主要是在常见的QLED中，电子传输层的材料为无机材料，电子迁移率较高，能够容易地注入到量子点层，而空穴传输层这一侧，空穴传输层中的有机物由于分子间是通过范德华力相互作用，其迁移率小于无机材料，从而导致电子和空穴注入不平衡，降低量子点层中形成激子的概率。同时电荷不平衡导致在量子点层电子的大量积累，使得量子点处于充电状态，这又会造成俄歇复合过程，俄歇复合会降低量子点的发光效率，进而影响器件的性能。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种量子点发光器件及其制备方法，其能够提高空穴迁移率，增大激子复合铝，增强量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、绝缘金属氧化物层、电子传输层和阴极。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层包括Al2O3和MgO中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层的厚度为5～8nm。4.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层中的材料包括ZnO、TiO2、SnO2和Alq3中的至少一种。5.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括TFB、PVK、TCTA、TPD、Poly
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TPD和CBP中的至少一种。6.一种如权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：提供所述阳极，在所述阳极的表面制备空穴注入层；在所述空穴注入层的表面形成所述空穴传输层；在所述空穴传输层的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏生，程陆玲，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：