电极、发光器件和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电极、发光器件和电子装置。电极包括：导电层界面层，其通过静电自组装的方式结合在所述导电层的表面，所述电极的功函数小于所述导电层的功函数。该电极通过静电自组装的方式在导电层的表面形成界面层，不但降低了电极的功函数，利于电子的提取和注入，还能够提高电极层的均匀性，提高器件的发光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
电极、发光器件和电子装置


[0001]本专利技术涉及显示和照明
，特别是涉及电极、发光器件和电子装置。

技术介绍

[0002]近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注，其色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点使得量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛有应用前景。
[0003]现阶段QLED屏幕的制备主要可以通过喷墨印刷加蒸镀的方法制备。特别地，倒置QLED器件制备仅需要在ITO(掺锡氧化铟)阴极上打印ZnO电子传输层和QD发光层，而空穴传输层、空穴注入层和阳极层等均可以采用OLED(有机发光二极管)的蒸镀条件进行制备，这样使得倒置QLED器件极具商业化前景。
[0004]然而，ITO薄膜具有极高的功函数，导致其在作为阴极时电子较难提取和注入到电子传输层。同时，随着使用时间的延长，在ZnO电子传输层与ITO电极界面处，缺陷会增加，使得电子注入势垒增大，进而影响器件的寿命。

技术实现思路

[0005]基于以上问题，作出本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极，其特征在于，包括：导电层；界面层，其通过静电自组装的方式结合在所述导电层的表面，所述电极的功函数小于所述导电层的功函数。2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述界面层包括至少一层阳离子层和至少一层阴离子层，所述阳离子层和所述阴离子层交替层叠且层数相同，所述界面层通过所述阳离子层与所述导电层的表面结合。3.根据权利要求2所述的电极，其特征在于，所述导电层的材料包括ITO、IZO、IGZO和AZO中的至少一种，所述阳离子层的材料包括纳米级的阳离子胺基聚合物、纳米级的阳离子甲基聚合物和纳米级的阳离子甲基丙烯酸中的至少一种，所述阴离子层的材料包括纳米级的阴离子胺基聚合物、纳米级的阴离子甲基聚合物和纳米级的阴离子甲基丙烯酸中的至少一种。4.根据权利要求3所述的电极，其特征在于，所述阳离子层的材料包括纳米级的季胺壳聚糖、阳离子聚丙烯酰胺和阳离子聚丙烯酸羟乙酯中的至少一种，所述阴离子层的材料包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：