复合材料及电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种复合材料及电致发光器件。制备该复合材料的原料包括亚铜化合物和金属元素掺杂剂；所述亚铜的组成元素包括铜元素和非金属元素；所述铜元素和所述非金属元素之间的键能小于所述金属元素掺杂剂和所述非金属元素之间的键能。金属元素掺杂剂可以占据亚铜空位的位置，降低亚铜空位的数量，降低自由空穴浓度，提高空穴迁移率。将本发明专利技术的复合材料用于QLED的空穴注入层中，可以提高器件的发光效率和延长其寿命。效率和延长其寿命。效率和延长其寿命。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及电致发光器件


[0001]本专利技术涉及电致发光
，特别是涉及一种复合材料及电致发光器件。

技术介绍

[0002]受益于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和组分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。同时，QLED显示还具有可折叠、可卷曲、响应速度快、可视角大、对比度高等诸多未来显示的美好特征，因而有望成为下一代的显示技术。
[0003]经过近30年的发展，QLED的研究取得了很大的进展。例如：红、绿、蓝三色QLED的外量子效率均已达到20％左右，接近理论极限。另一方面，QLED的寿命也获得了长足的进步，但距离最先进的OLED仍有很大的差距。根据相关研究，QLED所采用的空穴注入材料一般含有水分子、酸性物质等，极易对QLED寿命造成不利的影响。因此，开发一种稳定的、工艺简单的空穴注入层对促进QLED发展至关重要。
[0004]根据相关研究可知，以Cu2O、CuI为代表的亚铜化合物是一种非常有前景的p型半导体，价带顶能级一般为5.0e本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，其包括亚铜化合物和金属元素掺杂剂；所述亚铜化合物的组成元素包括铜元素和非金属元素；所述铜元素和所述非金属元素之间的键能小于所述金属元素掺杂剂和所述非金属元素之间的键能。2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述非金属元素选自氧或碘。3.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，与所述金属元素掺杂剂对应的金属的离子尺寸和所述亚铜化合物中亚铜离子的离子尺寸之间的差值为0nm～0.1nm。4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料的价带顶能级为5.0eV～5.3eV。5.根据权利要求4所述的复合材料，其特征在于，所述亚铜化合物选自Cu2O和CuI中的至少一种；所述金属元素掺杂剂选自Ga、...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：