【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管技术，具体是关于一种发光二极管晶片的串联结构。为实现上述的目的，本技术采用的技术方案如下一种发光二极管晶片的串联结构，该发光二极管晶片由一P型半导体层及一N型半导体层电性耦接于一基板上所构成，该基板上以二维矩阵的方式配置有复数个发光二极管；且该复数个发光二极管的P型半导体层与N型半导体层以一导体电性连接，使该复数个发光二极管的P、N型半导体层呈一串联的状态，并于该未与导体电性连接的P、N型半导体层分别电性连接有导电部，该导电部可供连接外部电源使用。如此，可使发光二极管单一晶片产生高亮度，提高操作电压，降低操作电流，并可改善外部供电设备与发光二极管(LED)操作条件及其所附加的电器设备。图8为一般大晶片的等效电路图。请参阅附图说明图1、图2、图3，为本技术的二极管外观图、基板的配置示意图、基板的侧示图。如图所示，本技术为一种发光二极管晶片的串联结构，该发光二极管1由一P型半导体层11及一N型半导体层12电性耦接于一基板2上所构成；其中，该基板2上以二维矩阵的方式配置有复数个发光二极管1，而该基板2可为一绝缘材质所制成，且该基板2可为透明状或为不透明状，且该复数个发光二极管1的P型半导体层11与N型半导体层12以一导体3电性连接，而该导体3可为透明状或为不透明状，或以打线或晶片镀层的方式，将导体3预定的线路设置于该基板2上，使该复数个发光二极管1的P、N型半导体层11、12呈一导通的状态，并于该未与导体3电性连接的P、N型半导体层11、12分别电性连接有导电部4、5，该导电部4、5可供连接外部电源(图中未示)使用，该导电部4、5可以打...
【技术保护点】
一种发光二极管晶片的串联结构，该发光二极管晶片由一Ｐ型半导体层及一Ｎ型半导体层电性耦接于一基板上所构成，其特征在于： 该基板上以二维矩阵的方式配置有复数个发光二极管；且 该复数个发光二极管的Ｐ型半导体层与Ｎ型半导体层以一导体电性连接，使该复数个发光二极管的Ｐ、Ｎ型半导体层以串联的方式呈一导通的状态，并于该未与导体电性连接的Ｐ、Ｎ型半导体层分别电性连接有导电部，该导电部可供连接外部电源使用。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管晶片的串联结构，该发光二极管晶片由一P型半导体层及一N型半导体层电性耦接于一基板上所构成，其特征在于该基板上以二维矩阵的方式配置有复数个发光二极管；且该复数个发光二极管的P型半导体层与N型半导体层以一导体电性连接，使该复数个发光二极管的P、N型半导体层以串联的方式呈一导通的状态，并于该未与导体电性连接的P、N型半导体层分别电性连接有导电部，该导电部可供连接外部电源使用。2.如权利要求1所述的发光二极管晶片的串联结构，其特征在于其中，该基板可为一绝缘材质所制成。3.如权利要求1所述的发光二极管晶片的串联结构，其特征在于其中，该基板可为透明或不透明状。4.如权利要求1所述的发光二极管晶片的串联结构，其特征在于其中，该复数个发光二...
【专利技术属性】
技术研发人员：林明德，
申请(专利权)人：光鼎电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]
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