【技术实现步骤摘要】
本技术涉及交流控制元件领域,尤其是关于大功率大电流的 双向晶闸管。
技术介绍
目前,电器行业朝着高集成、大电流、大功率的方向发展。在 交流电路中,由于-一只双向晶闸管替代了两只反并联的普通晶闸管, 同时又减少了触发电路及保护电路,达到了结构简单、体积縮小、成 本降低的目的,在交流控制领域里成为一种较理想的控制元件,然而, 目前行业中所生产的双向晶闸管元件,随着元件电流容量的增大,普 遍存在换向特性不佳,造成在感性或容性负载换向失败,无法使用。已知解决(dv/dt) c的换向能力的方法有几种方法1.用掺金的方法在隔离区增加大量复合中心使少子在跨越隔离区时被复合掉,但缺点 是制造工艺麻烦,成本较高会影响器件的其它参数,是最初的试验方法,目前基本上不用;2.用电子辐照的方法借助电子辐照的设备在 掩蔽模具的作用下在隔离区产生复合中心,也能提高换向能力,但它 的缺点是投资较大,成本较高,工艺操作复杂,产量受到限制,技术 推广较困难。因此国内行业目前一般只做到800A的双向晶闸管,更 大电流双向晶闸管方面的研究,尚属空白。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述的缺陷提供一种能 ...
【技术保护点】
一种大功率双向晶闸管,由两只反向并联的普通晶闸管组成,其特征在于:所述的晶闸管的两个普通晶闸管结型之间有隔离区(1),基片N型上有通过扩散形成表面浓度即门极N2、N3、N4且形成的P↓[1]N↓[1]P↓[2]N↓[2]结与P↓[2]N↓[1]P↓[1]N↓[3]结,N型扇形展开后有一角度θ,门极N2、N3、N4上还在蒸铝层(2)。
【技术特征摘要】
1、一种大功率双向晶闸管,由两只反向并联的普通晶闸管组成,其特征在于所述的晶闸管的两个普通晶闸管结型之间有隔离区(1),基片N型上有通过扩散形成表面浓度即门极N2、N3、N4且形成的P1N1P2N2结与P2N1P1N3结,N型扇形展开后有一角度θ,门极N2、N3、N4上还在蒸铝层(2)。2、 根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建平,
申请(专利权)人:江苏威斯特整流器有限公司,
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]
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