发光二极管的结构改良制造技术

本实用新型专利技术发光二极管的结构改良在封装体的顶面设有由若干沟槽或网点所构成的光学机制，透过光学机制所产生的聚光效果提高封装体的光使用效率，亦即使发光二极管内部的光源集中经由该光学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，俾可大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种发光二极管，尤针对发光二极管的封装体构造 加以改良，进而提升整体发光二极管的亮度表现效果。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode ， LED )是一种利用电子电洞的相 互结合将能量以光形式释发的半导体组件，由于属冷光发光，具有体积 小、寿命长、耗电量低、反应速率快、耐震性特佳等优点，故广泛做为 各种电器、信息看板、通讯产品等的发光组件。又， 一般发光二极管的基本构造，是利用金线构成发光芯片(亦即半 导体芯片)与相关电路的连结，再由相关的封装材将发光芯片包覆使成为具有机械结构强度的封装体，以在发光芯片通电作用下，令发光芯片产 生光源并且经由所包覆的封装体向外照射，或是由发光芯片的光源与封 装材当中的效果材(例如萤光材)的波长结合，以形成预期的光色。因此，包覆在发光芯片外部的封装体对光源的散发特性(光使用率) 将足以影响整体发光二极管的亮度表现效果；换言之，若能够改善封装 体的光使用率，亦可达到提升发光二极管亮度表现效果的目的。
技术实现思路
本技术的主要目的即在提供一种有效降低光源朝向左右方向扩 散乱窜的现象，进而大幅提升整体亮度表现效果的发光二极管结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的结构改良，其特征在于：在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干两侧角度不对等的Ｖ型沟槽所构成，使相邻的Ｖ型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面。

【技术特征摘要】
1、一种发光二极管的结构改良，其特征在于在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干两侧角度不对等的V型沟槽所构成，使相邻的V型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面。2、 一种发光二极管的结构改良，其特征在于在发光二极管的封装 体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干弧形沟槽所构成，使切割成若干曲面状的出光面。3、 一种发光二极管的结构改良，其特征在于在发光二极管的封装 体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。4、 如权利要求l、 2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于， 该封装体顶面为平板状。5、 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑廷栋，曾文保，江新鉴，
申请(专利权)人：亚帝欧光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]