柱塞制造技术

提供一种柱塞。第1柱塞(110)具备第1顶端接触件(112)、第1柱状部(114)及第1承托部(116)。第1顶端接触件(112)在设于金属基材(600A)的凹部(602A)中埋入第1导电材料而形成。第1柱状部(114)在第1开口(612)中埋入第2导电材料而形成，该第1开口设于在金属基材(600A)上形成的第1保护膜(610)，且位于凹部(602A)的上方。第1承托部(116)在第2开口(622)中埋入第3导电材料而形成，该第2开口设于在第1保护膜(610)上形成的第2保护膜(620)，且位于第1开口(612)的上方。第1开口(612)的上方。第1开口(612)的上方。

【技术实现步骤摘要】
柱塞


[0001]本技术涉及柱塞。

技术介绍

[0002]开发出用于检查集成电路(IC)等电子装置的特性的各种检查装置。如专利文献1记载那样，检查装置具备柱塞(plunger)。在专利文献1中，柱塞具有顶端接触件、和与顶端接触件连接的柱状部。顶端接触件通过研磨加工而形成。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
25737号公报

技术实现思路

[0006]随着电子装置的微细化，要求在检查装置中高密度地配置微细的柱塞。例如在如专利文献1记载那样通过研磨加工而形成顶端接触件的情况下，可能难以实现柱塞的微细化。
[0007]本技术的目的的一例在于将柱塞微细化。本技术的其他目的可以从本说明书的记载得以明确。
[0008]本技术的一个方案为一种柱塞，具备：
[0009]顶端接触件，其通过在设于基材的凹部中埋入第1导电材料而形成；
[0010]柱状部，其在第1开口中埋入第2导电材料而形成，其中该第1开口设于在所述基材上形成的第1保护膜，且位于所述凹部的上方；以及
[0011]承托部，其在第2开口中埋入第3导电材料而形成，其中该第2开口设于在所述第1保护膜上形成的第2保护膜，且位于所述第1开口的上方。
[0012]本技术的另一方案为一种柱塞的制造方法，具备：
[0013]在设于基材的凹部中埋入第1导电材料的工序；
[0014]在第1开口中埋入第2导电材料的工序，其中该第1开口设于在所述基材上形成的第1保护膜，且位于所述凹部的上方；以及
[0015]在第2开口中埋入第3导电材料的工序，其中该第2开口设于在所述第1保护膜上形成的第2保护膜，且位于所述第1开口的上方。
[0016]技术效果
[0017]根据本技术的上述方案，能够将柱塞微细化。
附图说明
[0018]图1是表示实施方式1的检查装置的详情的立体剖视图。
[0019]图2是用于说明实施方式1的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0020]图3是用于说明实施方式1的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0021]图4是用于说明实施方式1的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0022]图5是用于说明实施方式1的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0023]图6是用于说明实施方式1的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0024]图7是用于说明实施方式1的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0025]图8是用于说明实施方式2的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0026]图9是用于说明实施方式3的第1柱塞的制造方法的剖视图。
[0027]附图标记的说明
[0028]10 检查装置
[0029]100 第1弹性体
[0030]102 孔
[0031]104 导电膜
[0032]110 第1柱塞
[0033]112 第1顶端接触件
[0034]114 第1柱状部
[0035]116 第1承托部
[0036]116a 第1晶种层
[0037]116b 第1镀敷层
[0038]120 第2柱塞
[0039]122 第2顶端接触件
[0040]124 第2柱状部
[0041]126 第2承托部
[0042]130 第1销板
[0043]132 第1贯穿孔
[0044]140 第2销板
[0045]142 第2贯穿孔
[0046]600A 金属基材
[0047]600B 半导体基材
[0048]600C 树脂基材
[0049]602A 凹部
[0050]602B 凹部
[0051]602C 凹部
[0052]604C 晶种层
[0053]610 第1保护膜
[0054]612 第1开口
[0055]620 第2保护膜
[0056]622 第2开口
[0057]Z 铅垂方向
[0058]Z1 法线方向
具体实施方式
[0059]以下，使用附图对本技术的实施方式进行说明。此外，在所有附图中，对相同的结构要素标注相同的附图标记，并适当省略说明。
[0060]在本说明书中，“第1”、“第2”、“第3”等的序数词只要没有特别限定，则仅是为了区分具有相同名称的结构而标注的，并不表示其顺序、重要度等结构的特定特征。
[0061](实施方式1)
[0062]图1是表示实施方式1的检查装置10的详情的立体剖视图。
[0063]在图1中，表示铅垂方向Z的箭头所示的方向是铅垂方向Z的上方。另外，表示铅垂方向Z的箭头所示的方向的相反方向是铅垂方向Z的下方。
[0064]检查装置10具备第1弹性体100、多个第1柱塞110、多个第2柱塞120、第1销板130及第2销板140。各第1柱塞110具有第1顶端接触件112、第1柱状部114及第1承托部116。各第2柱塞120具有第2顶端接触件122、第2柱状部124及第2承托部126。第1弹性体100中的后述的孔102周围等的第1弹性体100的至少一部分、后述的导电膜104、各第1柱塞110、各第2柱塞120作为探针发挥功能。各第1柱塞110和各第2柱塞120通过孔102的周围等的第1弹性体100的至少一部分而被向铅垂方向Z施力。
[0065]第1弹性体100具有片形状。在一例中，第1弹性体100由具有弹性的高分子材料、例如硅、聚酰亚胺、苯乙烯丁二烯橡胶(SBR)等高分子材料构成。
[0066]第1弹性体100划分出沿着铅垂方向Z贯穿第1弹性体100的多个孔102。
[0067]在各孔102的内壁上形成有导电膜104。在一例中，导电膜104包含金属、例如从由镍、铜及金构成的组中选择的至少一种。例如，导电膜104为这些金属的多层膜。
[0068]各孔102为中空。该情况下，与在孔102的内壁形成有导电膜104且孔102变为实心(孔102的内部被填满)情况相比，无需用于使孔102变为实心的材料及工艺，能够降低检查装置10的制造成本。
[0069]第1柱塞110位于第1弹性体100的下方。另外，第1柱塞110与第1弹性体100在铅垂方向Z上重叠。具体地说，第1柱塞110与孔102在铅垂方向Z上重叠。因此，第1柱塞110能够通过第1弹性体100被向远离第2柱塞120的方向、即下方施力。另外，第1柱塞110与导电膜104电连接。因此，第1柱塞110能够经由导电膜104与第2柱塞120电连接。在第1柱塞110不与孔102在铅垂方向Z上重叠的情况下，为了使第1柱塞110与导电膜104电连接，需要作为与导电膜104不同的部件而设置埋入第1弹性体100的导电材料等的电气路径。但是，在第1柱塞110与孔1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种柱塞，其特征在于，具备：顶端接触件，其在设于基材的凹部中埋入第1导电材料而形成；柱状部，其在第1开口中埋入第2导电材料而形成，其中该第1开口设于在所述基材上形成的第1保护膜，且位于所述凹部的上方；以及承托部，其在第2开口中埋入第3导电材料而形成，...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野智久，
申请(专利权)人：株式会社友华，
类型：新型
国别省市：