柱塞及柱塞的制造方法技术

提供一种柱塞及柱塞的制造方法。第1柱塞(110)具备第1顶端接触件(112)、第1柱状部(114)及第1承托部(116)。第1顶端接触件(112)在设于金属基材(600A)的凹部(602A)中埋入第1导电材料而形成。第1柱状部(114)在第1开口(612)中埋入第1导电材料而形成，该第1开口设于在金属基材(600A)上形成的第1保护膜(610)，且位于凹部(602A)的上方。第1承托部(116)在第2开口(622)中埋入第3导电材料而形成，该第2开口设于在第1保护膜(610)上形成的第2保护膜(620)，且位于第1开口(612)的上方。且位于第1开口(612)的上方。且位于第1开口(612)的上方。

【技术实现步骤摘要】
柱塞及柱塞的制造方法


[0001]本专利技术涉及柱塞及柱塞的制造方法。

技术介绍

[0002]开发出用于检查集成电路(IC)等电子装置的特性的各种检查装置。如专利文献1记载那样，检查装置具备柱塞(plunger)。在专利文献1中，柱塞具有顶端接触件、和与顶端接触件连接的柱状部。顶端接触件通过研磨加工而形成。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
25737号公报

技术实现思路

[0006]随着电子装置的微细化，要求在检查装置中高密度地配置微细的柱塞。例如在如专利文献1记载那样通过研磨加工而形成顶端接触件的情况下，可能难以实现柱塞的微细化。
[0007]本专利技术的目的的一例在于将柱塞微细化。本专利技术的其他目的可以从本说明书的记载得以明确。
[0008]本专利技术的一个方案为一种柱塞，具备：
[0009]顶端接触件，其通过在设于基材的凹部中埋入第1导电材料而形成；
[0010]柱状部，其在第1开口中埋入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种柱塞，其特征在于，具备：顶端接触件，其在设于基材的凹部中埋入第1导电材料而形成；柱状部，其在第1开口中埋入第2导电材料而形成，其中该第1开口设于在所述基材上形成的第1保护膜，且位于所述凹部的上方；以及承托部，其在第2开口中埋入第3导电材料而形成，其中该第2开口设于在所述第1保护膜上形成的第2保护膜，且位于所述第1开口的上方。2.根据权利要求1所述的柱塞，其特征在于，所述柱状部的宽度与所述顶端接触件的基端的宽度不同。3.根据权利要求1或2所述的柱塞，其特征在于，所述承托部具有多个层。4.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野智久，
申请(专利权)人：株式会社友华，
类型：发明
国别省市：