功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口（５）构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层（１－１）与氧化扩散层（２２）之间设置的复合半导体材料层（２）组成，氧化扩散层外端下面与活化区（４）相邻接；活化区与Ｎ↑［＋］通道外端对接；复合半导体材料层外端和氧化扩散层外端向内错，且在复合半导体材料层和氧化扩散层相错的外端加设包敷隔离层（１－２）。这样氧化扩散层和复合半导体材料层外端向内缩进并在他们外端加设包敷隔离层，就有效地防止氧化扩散层和复合半导体材料层外端外露放电，就能防止放电，从而提高器件的耐高压能力。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
本专利技术涉及半导体技术，具体地说是一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )。技术背景在现有技术中，功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边 界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接 触窗口 (5)构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层(l-l) 与氧化扩散层(22)之间设置的复合半导体材料层(2)组成。边界区域结 构(参见图l-l)， 一般为隔离层1-1 (釆用硼磷硅玻璃(BPSG))与氧化 扩散层3 (FOX)之间设复合半导体材料层2 (POLY),复合半导体材料层 (2)内端与氧化扩散层内端取齐，复合半导体材料层外端与隔离层(1-1) 及氧化扩散层(22)的右端取齐。不足之处在于现行结构对崩溃电压的 提升没有多大的变化，即使更换外延片(EPI)材料，也只能达到60V。如 果用于高于100V的电压，就容易在复合半导体材料层(2)外端产生尖端 放电，破坏功率型分离器件MOSFET。另外，MOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口（５）构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层（１－１）与氧化扩散层（２２）之间设置的复合半导体材料层（２）组成，其特征在于：氧化扩散层（２２）外端下面与活化区（４）相邻接；活化区（４）与Ｎ↑［＋］通道（２３）外端对接；复合半导体材料层（２）外端和氧化扩散层外端向内错，且在复合半导体材料层（２）和氧化扩散层相错的外端加设包敷隔离层（１－２）。

【技术特征摘要】
1. 一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，由带有阻障 层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口 (5)构成，雪 崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层(1-1)与氧化扩散层(22) 之间设置的复合半导体材料层(2)组成，其特征在于氧化扩散层(22) 外端下面与活化区(4)相邻接；活化区(4)与N通道(23)外端对接； 复合半导体材料层(2)外端和氧化扩散层外端向内错，且在复合半导体材 料层(2)和氧化扩散层相错的外端加设包敷隔离层(1-2)。2. 按照权利要求1所述功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体 管，其特征在于还在氧化扩散层(22)水平方向上包敷...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕新立，杨春松，
申请(专利权)人：大连华坤科技有限公司，大连宇宙电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：21[中国|辽宁]