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功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口（５）构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层（１－１）与氧化...该专利属于大连华坤科技有限公司;大连宇宙电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连华坤科技有限公司;大连宇宙电子有限公司授权不得商用。