本实用新型公开一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，包括由隔离层、复合半导体材料层及氧化扩散层组成的边界区域及带有阻障层的雪崩耐能单元；其第一段复合半导体材料层左端结构不与氧化扩散层左端取齐，且在复合半导体材料层和氧化扩散层邻...

功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口（５）构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层（１－１）与...

功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口（５）构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层（１－１）与...