一种在ＮＰＮ型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺制造技术

一种镓在硅台面管生产中的应用技术，属于ＮＰＮ型硅台面高反压管生产工艺。将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成Ｐ型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气携带。本发明专利技术工艺简单，弥补了已有工艺的不足，产品电参数有较大辐度提高，且一致性好。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于NPN型硅台面高反压管生产工艺。在NPN型硅台面高反压管的生产中，P型基区杂质源的不同选择，决定着产品的性能和工艺流程。目前生产NPN型硅台面高反压管，最通用的P型杂质是硼和铝。因此，形成了以扩硼或扩硼铝为特点的工艺流程。扩硼工艺，虽然工艺简单，但生产周期长，产品的耐压特性差。而以硼铝结合使用形成P型基区的涂层硼铝扩散工艺，虽然产品耐压特性好，但由于先涂层扩铝，后抛光扩硼，基区宽度因机械抛光难以控制，偏差大(约在3～15μm左右)，产品电参数分散性大，参数性能不理想，工艺过程繁杂，耗费化学药品多，生产周期长。本专利技术针对已有生产工艺的不足之处，提供一条采用镓为P型基区杂质源，形成以扩镓为特点的工艺流程。这种工艺过程简单，弥补了上述两种工艺的不足。产品耐压特性高于扩硼工艺，电参数特性又优于涂层硼铝扩散工艺。尤为突出的是电参数一致性好。本专利技术的构思是，根据镓的性能和产品设计要求形成的工艺流程为磨片抛光→氧化→基区镓扩散→一次光刻→发射区磷扩散→补镓→以后同常规工艺。氧化根据镓在氧化硅(SiO2)中的扩散比在硅中快得多(1200℃时，DSio2＝1.0×10-9厘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镓在硅台面管生产中的应用技术，将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，本专利技术的特征是，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成Ｐ型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气体携带。

【技术特征摘要】
1.一种镓在硅台面管生产中的应用技术，将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，本发明的特征是，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气体携带。2.根据权利要求1所说的镓在硅台面管生产中的应用技术，其特征在于所说的低浓度镓掺杂时，硅片温度为1200～1240℃，镓源温度920～930℃，H2流量80ml/分，H2浸入水的深度2cm处，水温20℃，镓源量为1克，通源时间60～90分钟。3.根据权利要求1所说的镓在硅台...

【专利技术属性】
技术研发人员：林玉松，李萍，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]