硅晶圆转移方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种硅晶圆转移方法及装置，在所述硅晶圆转移方法中，利用第一滚轮、第二滚轮及第三滚轮沿第一方向同步传动目标衬底膜，并利用第二滚轮施加压力，使目标衬底膜与硅晶圆表面之间产生粘附力，再利用沿第二方向移动并远离第二滚轮的第三滚轮，在第三滚轮的运动牵引下，目标衬底膜带动第二滚轮滚动后方的硅晶圆与保护膜脱离并转移到目标衬底膜上，快速高效地实现了硅晶圆从保护膜到目标衬底膜的整体转移，提高了转移效率，同时兼容卷到卷制造工艺过程，满足硅基柔性电子器件大规模制造的需求。制造的需求。制造的需求。

【技术实现步骤摘要】
硅晶圆转移方法及装置


[0001]本专利技术涉及柔性电子器件制备
，尤其是涉及一种硅晶圆转移方法及装置。

技术介绍

[0002]柔性电子是一种新兴的电子技术，以其独特的柔性、延展性，在信息、能源、医疗、国防等领域具有广泛的应用前景。硅基柔性电子可满足高性能柔性电子系统要求，硅基柔性芯片技术是实现高性能柔性电子芯片与微系统技术的关键。
[0003]然而，现有硅基柔性电子芯片制造过程超薄硅晶圆多采用划片后再转移的方式，且多用手动方式，跟柔性电子制造过程中大规模采用的卷到卷工艺难以兼容，难于适应柔性电子大规模生产的要求。
[0004]因此，目前亟需一种能有效提升超薄硅晶圆转移工艺效率与兼容性的技术方案。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种兼容卷到卷制造工艺的超薄硅晶圆转移方法及实现装置，用于解决现有技术中超薄硅晶圆转移效率低、与卷到卷制造工艺兼容性差的技术问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供的技术方案如下。
[0007]一种硅晶圆转移方法，包括：
[0008]提供待转移的硅晶圆，多个所述硅晶圆设置在保护膜上，所述保护膜固定在载物平台的载物平面上；
[0009]提供第一滚轮、第二滚轮及第三滚轮，所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮设置在所述硅晶圆远离所述载物平台的一侧上；
[0010]提供目标衬底膜，通过所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮沿第一方向同步传动目标衬底膜，且在传动过程中所述目标衬底膜通过所述第二滚轮与所述硅晶圆的边缘表面充分接触；
[0011]在传入所述目标衬底膜的同时，通过所述第二滚轮施加压力，使所述目标衬底膜与所述硅晶圆表面之间产生粘附力；
[0012]在传入所述目标衬底膜的同时，沿第二方向移动所述第三滚轮，使所述第三滚轮远离所述第二滚轮，将所述硅晶圆从所述保护膜上脱离并转移到所述目标衬底膜上；
[0013]其中，所述目标衬底膜通过所述第一滚轮传入，通过所述第二滚轮传动并与所述硅晶圆接触，通过所述第三滚轮传出；所述第二方向垂直于所述载物平台的载物平面，所述第一方向平行于所述载物平台的载物平面。
[0014]可选地，所述在传入所述目标衬底膜的同时，通过所述第二滚轮施加压力，使所述目标衬底膜与所述硅晶圆表面之间产生粘附力的步骤包括：
[0015]保持所述第二滚轮与所述硅晶圆在第二方向上的相对距离不变，沿着所述第一方
向的反方向移动所述第二滚轮，使所述第二滚轮压住所述目标衬底膜并从所述硅晶圆的表面滚过。
[0016]可选地，所述保护膜包括紫外膜，所述硅晶圆转移方法还包括：
[0017]在传入所述目标衬底膜的同时，对所述第二滚轮的传动后侧施加调控激光，通过所述调控激光降低所述硅晶圆与所述保护膜之间的粘附力。
[0018]可选地，在移动所述第二滚轮的同时，沿着所述第二方向移动所述第三滚轮，沿着所述第二方向的反方向移动所述第一滚轮，使得第一距离与第二距离之和保持不变，以保证所述目标衬底膜受到均匀的拉伸力，其中，所述第一距离指所述第二滚轮到所述第一滚轮的距离，所述第二距离指所述第二滚轮到所述第三滚轮的距离。
[0019]可选地，所述硅晶圆的厚度小于等于50μm。
[0020]一种硅晶圆转移装置，包括：
[0021]载物平台，用于固定保护膜和所述保护膜上的硅晶圆；
[0022]转移滚动机构，设置在所述硅晶圆远离所述载物平台的一侧上，用于将所述保护膜上的硅晶圆转移到所述目标衬底膜上；
[0023]转移辅助机构，设置在所述硅晶圆远离所述载物平台的一侧上，用于辅助所述硅晶圆的转移。
[0024]可选地，所述载物平台具有真空吸附功能。
[0025]可选地，所述转移滚动机构包括：
[0026]第一滚轮，将所述目标衬底膜从外部传入，并完成所述目标衬底膜的预处理；
[0027]第二滚轮，对所述目标衬底膜进行传动并对所述目标衬底膜施加压力，使所述目标衬底膜与所述硅晶圆表面之间产生粘附力；
[0028]第三滚轮，与所述第二滚轮匹配合实现所述硅晶圆从所述保护膜到所述目标衬底膜上的转移，并将所述目标衬底膜连同所述硅晶圆传出；
[0029]其中，所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮沿着第一方向传动设置，对所述目标衬底膜进行传入传出，在第二方向上，相对于所述第一滚轮及所述第三滚轮，所述第二滚轮靠近所述硅晶圆设置，所述第二方向垂直于所述载物平台的载物平面，所述第一方向平行于所述载物平台的载物平面。
[0030]可选地，所述第二滚轮能在所述第一方向上往返移动，所述第一滚轮及所述第三滚轮能在所述第二方向上往返移动；当所述第二滚轮在所述第一方向上移动时，所述第一滚轮及所述第三滚轮同步在所述第二方向上移动，以保证所述目标衬底膜受到均匀的拉伸力。
[0031]可选地，所述转移辅助机构包括：
[0032]调控激光模块，设置在所述第二滚轮的传动后侧，对所述保护膜及其上的硅晶圆施加调控激光，以降低所述硅晶圆与所述保护膜之间的粘附力；
[0033]自动载片模块，对其上设置有所述硅晶圆的所述保护膜进行更换。
[0034]如上所述，本专利技术提供的硅晶圆转移方法及装置，具有以下有益效果：
[0035]利用第一滚轮、第二滚轮及第三滚轮沿第一方向同步传动目标衬底膜，并利用第二滚轮施加压力，使目标衬底膜与硅晶圆表面之间产生粘附力，再利用沿第二方向移动并远离第二滚轮的第三滚轮，在第三滚轮的运动牵引下，目标衬底膜带动第二滚轮滚动后方
的硅晶圆与保护膜脱离并转移到目标衬底膜上，快速高效地实现了硅晶圆从保护膜到目标衬底膜的整体转移，提高了转移效率，同时兼容卷到卷制造工艺过程，满足硅基柔性电子器件大规模制造的需求。
附图说明
[0036]图1显示为本专利技术中硅晶圆转移方法的步骤示意图。
[0037]图2
‑
图3显示为本专利技术中硅晶圆转移方法的工艺流程图。
[0038]图4显示为本专利技术中硅晶圆转移装置的结构图。
[0039]附图标记说明
[0040]1‑
载物平台，2
‑
固定盘，3
‑
保护膜，4
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硅晶圆，5
‑
目标衬底膜，6
‑
调控激光模块，R1、R1'
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第一滚轮，R2、R2'
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第二滚轮，R3、R3'
‑
第三滚轮。
具体实施方式
[0041]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0042]请参阅图1至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆转移方法，其特征在于，包括：提供待转移的硅晶圆，多个所述硅晶圆设置在保护膜上，所述保护膜固定在载物平台的载物平面上；提供第一滚轮、第二滚轮及第三滚轮，所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮设置在所述硅晶圆远离所述载物平台的一侧上；提供目标衬底膜，通过所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮沿第一方向同步传动目标衬底膜，且在传动过程中所述目标衬底膜通过所述第二滚轮与所述硅晶圆的边缘表面充分接触；在传入所述目标衬底膜的同时，通过所述第二滚轮施加压力，使所述目标衬底膜与所述硅晶圆表面之间产生粘附力；在传入所述目标衬底膜的同时，沿第二方向移动所述第三滚轮，使所述第三滚轮远离所述第二滚轮，将所述硅晶圆从所述保护膜上脱离并转移到所述目标衬底膜上；其中，所述目标衬底膜通过所述第一滚轮传入，通过所述第二滚轮传动并与所述硅晶圆接触，通过所述第三滚轮传出；所述第二方向垂直于所述载物平台的载物平面，所述第一方向平行于所述载物平台的载物平面。2.根据权利要求1所述的硅晶圆转移方法，其特征在于，所述在传入所述目标衬底膜的同时，通过所述第二滚轮施加压力，使所述目标衬底膜与所述硅晶圆表面之间产生粘附力的步骤包括：保持所述第二滚轮与所述硅晶圆在第二方向上的相对距离不变，沿着所述第一方向的反方向移动所述第二滚轮，使所述第二滚轮压住所述目标衬底膜并从所述硅晶圆的表面滚过。3.根据权利要求2所述的硅晶圆转移方法，其特征在于，所述保护膜包括紫外膜，所述硅晶圆转移方法还包括：在传入所述目标衬底膜的同时，对所述第二滚轮的传动后侧施加调控激光，通过所述调控激光降低所述硅晶圆与所述保护膜之间的粘附力。4.根据权利要求3所述的硅晶圆转移方法，其特征在于，在移动所述第二滚轮的同时，沿着所述第二方向移动所述第三滚轮，沿着所述第二方向的反方向移动所述第一滚轮，使得第一距离与第二距离之和保持不变，以保证所述目标衬底膜受到均匀的拉伸力，其中，所述第一距离指所述第二滚轮到所述第一滚轮的距离，所述第二距离指所述第二滚轮到...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仙，张培健，廖希异，王妍，洪敏，邱盛，蒋飞宇，张静，
申请(专利权)人：中电科技集团重庆声光电有限公司，
类型：发明
国别省市：