制作半导体器件中金属薄膜的方法技术

一种半导体器件金属薄膜制作方法，包括下述步骤；在衬底上共溅射淀积贵重金属材料和金属而制成混合金属粘结膜，所述金属与所述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合金属粘结膜上再溅射淀积所述贵金属材料而制成金属薄膜。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更准确地说是应用共溅射系统中的共溅射方法淀积铂(Pt)和钛(Ti)或铂和钽(Ta)而制作金属薄膜的方法，从而提高与衬底的结合力和电极特性；上述金属薄膜可用作微热元(micro-heater)、引线脚(pad)和扩散阻挡层材料。在集成电路中金属薄膜的制作工艺有下述三种重要功能(1)元件的连接；(2)元件间的互相连接；(3)集成块与外部电路之间的相互连接。在集成电路中，薄膜金属制作工艺对器件生产能力和可靠性有最为重要的影响。在薄膜的制作过程中，金属的处理不准影响元件或材料的性质，制成的金属薄膜不能从衬底上脱落剥离。举例来说，众所周知，金(Au)不与二氧化硅膜(SiO2)或氮化硅膜(Si3N4)结合；而钛(Ti)与二氧化硅膜或氮化硅膜具有良好的结合强度。该金属必须易于制作掩模和蚀刻而不影响其他材料。另外，要求金属高温稳定，金属必须适于与金或铝连接，或钎焊。再者，要求该金属的导电性好，接触电阻低。则所用金属应满足下述条件(1)不易氧化，具有热稳定性和化学稳定性；(2)不易腐蚀；(3)所用金属非常适于该金属处理工艺，能在淀积过程中均匀形成薄膜。尽管铝的导电性不良，抗蚀性差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件金属薄膜的方法，包括步骤：在衬底上共溅射贵重金属材料和金属，而制成混合金属粘结膜，上述金属对上述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合粘结膜之上再溅射淀积上述贵重金属材料而制成金属薄膜。

【技术特征摘要】
KR 1994-6-22 14289/941.一种制作半导体器件金属薄膜的方法，包括步骤在衬底上共溅射贵重金属材料和金属，而制成混合金属粘结膜，上述金属对上述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合粘结膜之上再溅射淀积上述贵重金属材料而制成金属薄膜。2.如权利要求1所述的半导体器件金属薄膜制作方法，其特征在于，上述贵重金属材料是指Pt、Au、Ag、Pd和Rh中的任一种。3.如权利要求1所述的半导体器件金属薄膜制作方法，其特征在于，与所述衬底具有良好粘结性能的所述金属系指Ti、Ta、Ni、Cr和Mo中的任一种。4.如权利要求1所述的半导体器件金属薄膜制作方法，其特征在于，上述衬底是指Si、SiO2、Si3N4和MgO中的任一种。5.如权利要求1所述的半导体器件金属薄膜制作方法，其特征在于，在所述制作上述混合金属粘结膜的步骤中，淀积时吹入流量为几到几十个标准立方厘米/分钟的氧，从而进行溅射淀积。6.如权利要求1所述的半导体器件金属薄膜制作方法，其特征在于，在上述制作所述混合金属粘结膜步...

【专利技术属性】
技术研发人员：申铉雨，权哲汉，洪炯基，李圭晶，朴炫洙，尹童铉，金成泰，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]