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一种半导体器件金属薄膜制作方法，包括下述步骤；在衬底上共溅射淀积贵重金属材料和金属而制成混合金属粘结膜，所述金属与所述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合金属粘结膜上再溅射淀积所述贵金属材料而制成金属薄膜。...
该专利属于LG电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社授权不得商用。

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