无电镀金属衬层形成方法技术

一种具有带窗口的半导体介质材料的半导体结构。第一材料对窗口进行衬里，第一材料包含ＭＸＹ，其中Ｍ选自钴及镍，Ｘ选自钨及硅，而Ｙ选自磷及硼，并且第二材料填充被衬里的介质材料。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
无电镀金属衬层形成方法本专利技术一般涉及到微电子部件的制造，如由集成电路互连而成的高密度系统，更确切地说是涉及到集成电路中金属零件的衬层、籽晶层及势垒层的形成。当器件尺寸和冶金术改变并缩小时，在给定层的线路与通道的侧壁及底部处的衬层/籽晶层的台阶覆盖变得很复杂。由于流行倾向于更高的纵横比和更小的整体尺寸，故采用目前的淀积方法和材料，在所有必需的侧壁表面上能够产生覆盖不完全的衬层及籽晶层。在覆盖不完全的地方填充线路及通道的金属会渗入线路/通道周围的介质材料中，实际上“毒害”邻近不连续性的介质材料，并能够危及电学连接。物理汽相淀积(PVD)与化学汽相淀积(CVD)是当前流行的衬层淀积方法。所谓衬层指的是在腐蚀当前层的线路与通道要占用的窗口之后淀积在半导体材料上的图形化的介电材料上的层。所谓零件指的是填充窗口的金属。用户规定的设计将控制线路与通道的位置，出于诸多的理由，这些衬层与籽晶层常常是必不可少的。由于衬层覆盖不完全，故最后填充被刻蚀的窗口的金属，可能扩散进入介质材料中。最终可能使器件性能恶化。同时，金属层可能不粘附于介质材料。在某些情况下，该衬层可以包含一种以上的材料或者单一材料的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体零件的方法，包含：采用第一材料镀涂介质材料中的窗口，该材料包括ＣｏＸＹ，其中Ｘ选自钨、锡、及硅，而Ｙ选自磷和硼。

【技术特征摘要】
US 2000-4-14 09/5499071．一种制作半导体零件的方法，包含：采用第一材料镀涂介质材料中的窗口，该材料包括CoXY，其中X选自钨、锡、及硅，而Y选自磷和硼。2．根据权利要求1的方法，其特征是其中的镀涂是无电镀涂。3．根据权利要求1的方法，其特征是其中第一材料邻接于介质材料。4．根据权利要求1的方法，其特征是进一步包括在镀涂步骤之前淀积第二材料的步骤。5．根据权利要求4的方法，其特征是其中第二材料包括选自钽、钛、钨、氮化钨、氮化钽、氮化钛中的一个。6．根据权利要求1的方法，其特征是其中第一材料的厚度约为50至大约500。7．根据权利要求6的方法，其特征是其中第一材料的厚度约为150至大约300。8．一种制作半导体零件的方法，包含：用第一材料镀涂介质材料中的窗口，该材料包括NiXY，其中X选自钨、锡、及硅，而Y选自磷及硼。9．根据权利要求8的方法，其特征是其中的镀涂是无电镀涂。10．根据权利要求8的方法，其特征是其中第一材料邻接于介质材料。11．根据权利要求8的方法，其特征是进一步包括在镀涂步骤之前淀积第二材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：CJ萨姆布策蒂，SH博特彻，PS洛克，JM鲁滨洛，徐顺天，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]