【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及玻璃，半导体，电介质/金属复合体和集成电路的抛光。本专利技术特别涉及复合材料的表面制备方面的改良，该材料要求在二氧化硅和其他成分之间的抛光速率有改良的差别。常规抛光组合物或抛光膏液一般由含有磨料颗粒的溶液构成。部件或基片浸浴或淋浴在该膏液中，与此同时一种弹性衬垫压在基片上并旋转，使得膏液颗粒在负荷下压在基片上。衬垫的横向运动使膏液颗粒的运动跨越基片表面，造成基片表面磨损去除一定体积。许多情况下表面去除的速率完全由施加压力的程度，衬垫旋转速度和膏液颗粒的化学活性来决定。因此，对基片有高度化学活性的膏液颗粒(例如CeO2对SiO2)，和比较惰性的颗粒(例如La2O3对SiO2)相比，表现出明显高的抛光速率。抛光颗粒化学活性的这种增加已是众多专利的基础，例如US4959113。增加抛光速率的一种替代方式是向膏液添加一些组分，这些组分本身对基片有腐蚀的作用。与磨料颗粒一起使用时，可以获得明显较高的抛光速率。这种工艺，通常叫做化学机械抛光(CMP)，对半导体和半导体器件特别是集成电路的抛光是一种优选技术。用于增强硅片表面抛光的这种CMP工艺实例已被Pay...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抛光金属和二氧化硅复合体的组合物，包括水介质，磨料颗粒，一种氧化剂和一种或多种抑制去除二氧化硅速率的化合物，其中该化合物的每种含有至少两个酸基团，且其中第一种可离解酸的pKa不明显大于抛光组合物的pH。2.根据权利要求1的组合物，其中所述抑制去除二氧化硅速率的化合物含有苯环。3.根据权利要求1的组合物，其中所述抑制去除二氧化硅速率的化合物是直链一元和二元羧酸及其盐，且在相对于羧酸基团α位置上有二级羟基基团。4.根据权利要求1的组合物，其中所述抑制去除二氧化硅速率的化合物是三元或多元羧酸及其盐，且在相对于羧酸基团α位置带有二级或三级羟基基团。5.根据权利要求2的组合物，包括水介质，磨料颗粒，过氧化氢和苯二甲酸氢钾，其中苯二甲酸盐的溶液浓度至少是0.1摩尔。6.根据权利要求5的组合物，基本包括，以重量份计，3.2份水，0.33份磨料颗粒，1.5份过氧化氢和0.22份苯二甲酸氢钾。7.抛光成分之一是硅，二氧化硅或硅酸盐的复合体的一种方法，其中使用权利要求1的抛光组合物。8.抛光成分之一是硅，二氧化硅或硅酸盐的复合体的一种方法，其中使用权利要求2的抛光组合物。9.抛光成分之一是硅，二氧化硅或硅酸盐的复合体的一种方法，其中使用权利要求3的抛光组合物。10.抛光成分之一是硅，二氧化硅或硅酸盐的复合体的一种方法，其中使用权利要求4的抛光组合物。11.抛光成分之一是硅，二氧化...
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