用于半导体器件的压触管壳制造技术

在一个半导体器件压触管壳中，控制极接触环４具有许多螺旋状空隙５。这些空隙可以消除在装配管壳时所产生的轴向移动而不致对材料施加负荷。因而在控制极与控制极接触环之间可获得一种良好的而又耐用的电接触。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率电子器件领域，以半导体器件压触管壳为出发点。在欧洲专利申请文献EP-A1-0 588 026中已叙述过一种这样的压触管壳。此文献中公开了一种可关断大功率半导体器件，尤其是一种GTO类型器件，该器件具有片状半导体衬底，该衬底安装在一个环状绝缘管壳中央，介于一个耐压力的片状阴极接触和一个同样耐压力的片状阳极接触之间，并且在阴极接触的外侧与一个形状为控制极接触环的门电极相接触。其中阴极接触经第一个盖与绝缘管壳的一端连接，而阳极接触经第二个盖与绝缘管壳的另一端连接。从而构成一个对外密封的器件，其中，门接触经一向外引出的门极引线可接通门电流。一种具有低连接电感的结构是这样实现的，即采用旋转对称的门极引线，此引线与阴极接触是同心安装的，而且门极引线与阴极接触用一个唯一的绝缘体实现电绝缘。控制极接触环受压力实现接触时将沿轴向稍稍移动。如果此功率半导体器件是在实施结构中使用，那么就必定反复安装和卸下。因此引起的控制极接触环的移动能使门电极的电接触变坏或者由于材料疲劳而完全断开。因此，本专利技术的目的是提出一种压触管壳，此种管壳保证实现与控制电极有耐用的、稳定的电接触。所以本专利技术的核心是控制极接触环具有若干螺旋状空隙。这样，在安装功率半导体器件时所引起的轴向移动就可以借助螺旋状空隙的弯曲和由此导致的环内侧小的扭转加以消除。在一个优选实施例中，螺旋状空隙用圆的渐伸线组成。就是说空隙的边缘沿圆的渐伸线延伸。为获得较简单的结构，可以用圆弧来近似渐伸线。此外，提出了一种安装在本专利技术管壳中的功率半导体器件。本专利技术结构的优点在于，在安装管壳时控制极接触环的轴向负荷由螺旋状空隙消除而不产生对材料的明显负荷。由于这种原因可以获得对控制电极的长期电接触。下面借助实施例并结合附图进一步阐述本专利技术。这些附图是附图说明图1本专利技术的一种控制极接触环俯视图；图2本专利技术的一种管壳的侧截面图。原则上在附图中相同的部分用相同的符号表示。图2示出本专利技术一种压触管壳1的截面图。其结构基本上与专利EP-A1-0 588 026的结构相近。此处特别强调参阅该专利，并且在此对压触管壳结构的叙述仅涉及本专利技术所必须的部分。图2表示半导体器件。该器件具有一个阳极和一个阴极。在图2中阳极在上方并且与相应的上部一个接触支柱3接触。阴极位于图2中的下方并且与下部一个接触支柱3接触。为了改善热接触，在接触支柱3与半导体器件2之间上下各安装一个钼片6。半导体器件上的控制电极用安放在弹簧7上的旋转对称控制极引线8接触，并经一个控制极接触环4向外引出。所有这些集成在一个绝缘管壳9内。对于本专利技术特别有意义的主要是控制极接触环4。在把半导体器件2装入管壳1时接触支柱3受到压力，控制极接触环4就一起沿轴向有小的移动。此外，如从图2中可以清楚地看到，该环在某一部分被弯曲。为了得到尽可能持久的电接触，根据本专利技术控制极接触环4制成如图1所示结构。在弯曲的区域内设置了螺旋状空隙5。这些空隙的优点是在装配时控制极接触环4可以毫无问题地消除轴向移动。此时，螺旋状空隙5被弯曲而且环的内侧同时有一小的转动。空隙5的边缘优先沿着圆的渐伸线延伸。为了简化制造工艺、例如对于数控机械也可以用圆弧来近似这种渐伸线。此外，为了安装固定螺钉，可以在控制极接触环上打若干孔。因为环状空隙5可以消除在装配管壳时形成的移动，所以控制极接触环只经受微小的材料负荷。因此，不会出现材料疲劳现象，这种材料疲劳现象能够由于断裂而导致电接触变坏甚至断开。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于半导体器件（２）的压触管壳（１），该器件具有一个第一、一个第二主电极和一个控制电极，其中第一和第二主电极安装在两个接触支柱（３）之间，并且受到这些支柱的压力和其中控制极与一个引向管壳外的控制极接触环（４）连接，其特征在于，控制极接触环（４）具有若干螺旋状空隙（５）。

【技术特征摘要】
DE 1995-2-17 19505387.71.用于半导体器件(2)的压触管壳(1)，该器件具有一个第一、一个第二主电极和一个控制电极，其中第一和第二主电极安装在两个接触支柱(3)之间，并且受到这些支柱的压力和其中控制极与一个引向管壳外的控制极接触环(...

【专利技术属性】
技术研发人员：F波尔吉安尼，
申请(专利权)人：ABB瑞士控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]