【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及保护二极管，更具体地说，涉及使半导体器件免受静电损坏的保护二极管。在半导体衬底上形成的半导体集成电路具有各种半导体元件。诸如静电的外加冲击高压会使这些半导体元件击穿。为了防止半导体元件产生击穿，保护元件连接在与半导体衬底上的接点相连的引线和半导体元件之间，这接点用作外部接线端。其中一种典型的保护元件是利用形成在半导体衬底上的P-N结的保护二极管。附图说明图1是表示常规的保护二极管结构的剖面，图2是基极-发射极区域的放大剖面。在P型半导体衬底21的表面上，通过LOCOS(硅的局部氧化)方法有选择地形成场氧化层24。借此，在半导体衬底21的表面上形成与另一元件隔离的元件形成区。即，元件形成区分为二个区域。然后，在元件形成区的半导体衬底21的表面上形成N型外延层23。在这N-型外延层23下面，形成N型埋层22，N型埋层22与N-型外延层23接触的区域稍为窄于N-型外延层23。在被场氧化层24包围的各元件形成区之一内，形成从N-型外延层表面到达N型埋层22的N+型集电极扩散区25。在N+型集电极扩散区25的表面形成N+型集电极接触区30。另一方面，在另...
【技术保护点】
一种使半导体器件免受静电损坏的保护二极管，其特征在于包含：第一种导电类型的半导体衬底，第二种导电类型的半导体外延层，有选择地形成在所述半导体衬底的表面上，第二种导电类型的埋层，形成在所述半导体外延层下面，并与所述半导体外延层相接 触，第一种导电类型的基极区，有选择地形成在所述半导体外延层表面上，未含高浓度杂质层，在所述基极区内有选择地形成的第二种导电类型的发射极区第二种导电类型的集电极区，有选择地形成在所述半导体外延层表面上，形成在所述半导体衬底上的 绝缘层，该层在所述与发射极区的一部分、其上未形成所述发射极区的基极区部分...
【技术特征摘要】
JP 1995-5-31 133671/951.一种使半导体器件免受静电损坏的保护二极管，其特征在于包含第一种导电类型的半导体衬底，第二种导电类型的半导体外延层，有选择地形成在所述半导体衬底的表面上，第二种导电类型的埋层，形成在所述半导体外延层下面，并与所述半导体外延层相接触，第一种导电类型的基极区，有选择地形成在所述半导体外延层表面上，未含高浓度杂质层，在所述基极区内有选择地形成的第二种导电类型的发射极区第二种导电类型的集电极区，有选择地形成在所述半导体外延层表面上，形成在所述半导体衬底上的绝缘层，该层在所述与发射极区的一部分、其上未形成所述发射极区的基极区部分和所述集电极区对准的各位置上留有开口部分，接地电极，通过所述开口部分与所述基极区和所述发射极区接触，固定在地电位，和集电极电极，通过所述开口部分与所述集电极区接触。2.根据权利要求1所述的保护二极管，其特征在于所述基极区和所述发射极区两者具...
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