一种晶圆结构、制造方法和三维存储器技术

本申请提供了一种晶圆结构、制造方法和三维存储器，该晶圆结构包括：衬底，位于衬底上的膜层，位于膜层中或上的反光图案，位于膜层上的氧化层中的界面键合标记，氧化层位于反光图案远离衬底的一侧，反光图案与界面键合标记在衬底所在平面的正投影重叠。反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值。由于设置的反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度差异较大，从而反光图案和界面键合标记经键合机台光源照射反射的光量也差异较大，在镜头下界面键合标记的明暗对比度较高，可以准确识别界面键合标记，从而提高了晶圆键合对准的准确度。从而提高了晶圆键合对准的准确度。从而提高了晶圆键合对准的准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆结构、制造方法和三维存储器


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种晶圆结构、制造方法和三维存储器。

技术介绍

[0002]晶圆键合技术，是指将两块经过抛光的晶圆紧密粘接在一起的技术，在进行晶圆键合时，晶圆之间的位置对准尤为重要。
[0003]目前，采用设置金属层键合标记的方法实现晶圆之间的对准，然而在实际应用中，当将两片晶圆上的金属层键合标记对准后，由于设置界面通孔的工艺存在一定的误差，导致界面通孔设置的位置与预设位置存在一定的偏差，从而无法实现晶圆之间的准确对准。
[0004]因此，如何提高晶圆对准键合的准确度，是本领域需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]为了解决以上技术问题，本申请提供了一种晶圆结构、制造方法和三维存储器，可以提高晶圆对准键合的准确度。
[0006]第一方面，本申请提供了一种晶圆结构，包括：
[0007]衬底；
[0008]位于所述衬底上的膜层；
[0009]位于所述膜层中或上的反光图案；
[0010]位于所述膜层上的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的膜层；位于所述膜层中或上的反光图案；位于所述膜层上的氧化层中的界面键合标记；所述氧化层位于所述反光图案远离所述衬底的一侧；所述反光图案与所述界面键合标记在所述衬底所在平面的正投影重叠；所述反光图案的图案密度和所述界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反光图案的图案密度和所述界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值，包括：所述反光图案的图案密度小于或等于第一预设阈值，所述界面键合标记的图案密度大于或等于第二预设阈值；所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值；所述第二预设阈值与所述第一预设阈值的差值大于或等于所述临界阈值；或，所述反光图案的图案密度大于或等于第三预设阈值，所述界面键合标记的图案密度小于或等于第四预设阈值；所述第三预设阈值大于所述第四预设阈值；所述第三预设阈值与所述第四预设阈值的差值大于或等于所述临界阈值。3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述反光图案包括光栅。4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述光栅包括多个间隔设置的栅线；所述栅线之间的狭缝填充有氧化硅或氮化硅。5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述栅线的材料包括金属或多晶硅。6.根据权利要求1
‑
5任意一项所述的结构，其特征在于，所述晶圆结构包括CMOS晶圆结构或阵列晶圆结构；当所述晶圆结构为CMOS晶圆结构时，所述晶圆结构还包括：位于所述膜层和所述氧化层中的外围电路；当所述晶圆结构为阵列晶圆结构时，所述晶圆结构还包括：位于所述膜层和所述氧化层中的存储结构。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹朋岸，胡思平，姚兰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：