内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线制造技术

本发明专利技术一种内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，其特征在于，上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元，应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术即可生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池。本发明专利技术优点是可以工业化、系列化、大批量的进行生产；生产技术先进，技术含量高；工装设备投资少、风险小；无环境污染，有利于环保。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，属半导体器件生产
具体地说在特定的工艺流程条件下的生产线设备，生产一种内联式结构、超薄、弱光型非晶硅太阳电池。目前，已公知的非晶硅太阳电池的生产线有两种其一，是生产内联式厚基片(大于2mm)，而且是一种强光型非晶硅太阳电池的生产线设备。此种生产线亦分两种形式，即全自动化与半自动化生产线。其中，全自动生产线投资达1000万美元以上。特点是整条线由一套设备组成，只有一个进口及出口，全封闭式，自动化程度极高。但其缺点是生产稳定性差，故障率高。面半自动化生产线投资约700万美元，其特点是由多道工序组成，每道工序由自动化设备组成，其生产稳定性好，故障率相对于前一种低。以上生产线设备是专用于生产大面积内联式厚基片(大干2mm)强光型非晶硅太阳电池系列产品的。因此，以上两种专为生产厚基片强光型非晶硅太阳电池而设计制造生产线设备，均无法对超薄弱光型非晶硅太阳电池的生产进行操作与制造。鉴于对目前国内引进的两条生产内联式厚基片(大于2mm)强光型非晶硅太阳电池的生产线几年生产实践与技术分析。以上所说的生产线设备不能生产内联式超薄弱光型非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，由超薄玻璃基片、复合透明电极、ＰＩＮ非晶硅膜、铝背电极、封装保护层为结构和以电池各极层集成化设计、集成透明电极制备、集成非晶硅膜沉积、集成铝背电极制备、背电极测试等工艺而设计的，应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术，其特征在于，上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元，上述单元内设备分别为：ａ．在面积３０５ｍｍ× １７８ｍｍ，厚度０．５－１．１ｍｍ的超薄玻璃基片上制备已集成复合膜透明电极，用磁控溅射、化学汽相沉积、激光在所述玻璃...

【技术特征摘要】
1.一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，由超薄玻璃基片、复合透明电极、PIN非晶硅膜、铝背电极、封装保护层为结构和以电池各极层集成化设计、集成透明电极制备、集成非晶硅膜沉积、集成铝背电极制备、背电极测试等工艺而设计的，应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术，其特征在于，上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元，上述单元内设备分别为a.在面积305mm×178mm，厚度0.5-1.1mm的超薄玻璃基片上制备已集成复合膜透明电极，用磁控溅射、化学汽相沉积、激光在所述玻璃基片上形成集成透明电极，集成透明电极制造单元，包括使用ITO磁控溅射镀膜机、化学汽相沉积氧化锡沉积炉、清洗干燥机、集成透明电极激光刻划机；b.将上述已集成复合膜透明电极玻璃基片，应用等离子体沉积技术形成光电池主体结构的集成非晶硅膜制造单元，包括非晶硅沉积预热炉、计算机程序控制沉积工艺非晶硅薄膜沉积炉及由电脑控制的非晶硅激光刻划机；c.上述集成非晶硅膜基片的集成铝背电极制造单元包括铝蒸镀机、集成铝背电极激光机、集成背漆字符丝印机、集成可焊电极丝印机及丝网模具所组成；d.上述制造而成的光电池切片测试单元，包括电池片切片机、电池片测试机。2.根据权利要求l一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，其特征在于，所述集成透明电极制造单元是一全自动立式磁控溅射镀膜机在上述玻璃基片上溅射IT0导电膜，用一大面积二氧化锡CVD沉积炉沉积二氧化硅薄膜，且由电脑控制X-Y伺服平台、大功率YAG激光器、电脑、大功率驱动器所组的集成透明电极激光刻划机，刻划透明电极集成图形；集成非晶硅膜制造单元在超薄基片透明电极膜上沉积PIN三层厚度4000A的集成非晶硅薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李毅，周庆明，周起才，陈刚，
申请(专利权)人：李毅，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]