一种碳化硅化学气相沉积反应器制造技术

本实用新型专利技术公开一种碳化硅化学气相沉积反应器。包括反应器本体，反应器本体具有基板、顶板和至少两块侧板，基板、顶板和两块侧板围成一个反应空间，两块侧板能够根据晶片尺寸的大小调节反应空间的大小。本实用新型专利技术采用了能够调节反应空间的反应器本体，只需要通过改变两块侧板的安装位置即可实现反应空间的大小调节，能够根据2～12寸的晶片尺寸设计定位槽；也可以选用不同高度的侧板来进一步调节反应空间的大小。气体分布器能够根据气体分布器可根据晶片尺寸、反应器空间的大小灵活调整进气面积。能够适应不同规格的晶片的兼容性问题和原材料浪费问题，节约设备升级成本，降低碳化硅外延片制造成本。硅外延片制造成本。硅外延片制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅化学气相沉积反应器


[0001]本技术涉及碳化硅化学气相沉积技术，特别涉及一种碳化硅化学气相沉积反应器。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大，击穿电场高，热导率大，电子饱和漂移速度高，抗辐射能力强等优越性，是新一代电力电子器件和电路的关键材料。SiC从单晶材料到制作成器件过程中，SiC外延片制造是不可或缺的的一环。目前，SiC外延片的获得主要是通过化学气相沉积方法获得。
[0003]化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，CVD装置通过进气装置将反应气体通入反应室中，并控制反应室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。
[0004]化学气相沉积工艺，是半导体芯片制程工艺一项十分重要的的技术。随着碳化硅芯片制造领域的发展，碳化硅的晶片直径会变得原来越大，涉及外延技术环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅化学气相沉积反应器，包括反应器本体，其特征在于，所述反应器本体具有基板、顶板和至少两块侧板，所述基板、顶板和两块侧板围成一个反应空间，两块所述侧板能够根据晶片尺寸的大小调节所述反应空间的大小。2.根据权利要求1所述的碳化硅化学气相沉积反应器，其特征在于，所述基板上间隔设有多条定位槽，两块所述侧板根据晶片尺寸的大小插接在其中两条定位槽上。3.根据权利要求2所述的碳化硅化学气相沉积反应器，其特征在于，所述顶板盖在两块所述侧板上。4.根据权利要求1所述的碳化硅化学气相沉积反应器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁土钦，孔令沂，李锡光，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：