【技术实现步骤摘要】
本专利技术按照权利要求1的总构思涉及，就是说驱动具有一个源极、一个漏极和一个栅极的场效应晶体管的方法，其中，在栅极上加上栅压，此电压导致在源极和漏极之间形成和/或保持一个导电的沟道。这种类型的场效应晶体管及其驱动方法很久以来业已众所周知。这种类型的场效应晶体管的一个实际的实施例如图4所示。在图4中示意性示出了一个普通的增强型NMOS-FET。所示晶体管由一个P掺杂的半导体材料形成的衬底1，一个在衬底表面设置的由n掺杂半导体材料形成的源极2，一个在衬底表面设置的由n掺杂半导体材料形成的漏极3，一个制作在衬底上的绝缘层4和一个在绝缘层上部设置的栅极5构成。在栅极5上加上正电压，例如+5V，则电子由远离栅极的衬底区被吸引到栅极对面的衬底区(沟道形成区6)。这样，起初由于P掺杂而显示出缺乏电子，并由此而成为不导电的沟道形成区6，逐渐变成一个具有过剩电子的区域，最后此区在源极2和漏极3之间形成一个导电沟道。这样一个沟道的形成使晶体管导通，就是说在源极和漏极之间形成低阻抗电学连接。然而上述沟道的形成和保持，当和只有在栅压(UG)为某最低值时才能实现，此外该栅压最低值与源...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.驱动具有一个源极(2)、一个漏极(3)和一个栅极(5)的场效应晶体管的方法，其中，在栅极上加上栅压(UG)，此电压可以导致在源极和漏极之间形成和/或保持一个导电的沟道，其特征在于，在沟道形成之后，栅极与供给其栅压的栅压电源隔离。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，栅极(5)与栅压电源的隔离应立即在沟道形成之后或在比较短的时间内进行。3.根据权利要求1或2所述方法，其特征在于，栅极(5)与栅压电源的隔离以如下方式进行，即在此过程中栅电位(UG)主要是保持不变。4.根据上述权利要求之一所述方法，其特征在于，栅极(5)与栅压电源的隔离以如下方式进行，即栅极在隔离后处于一种主要是浮空的状态。5.根据上述权利要求之一所述方法，其特征在于，为了使栅极(5)与栅压电源隔离采用了一种断开栅极...
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