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驱动具有一个源极（２）、一个漏极（３）和一个栅极（５）的场效应晶体管的方法，其中，在栅极上加上栅压（Ｕ↓［Ｇ］），此电压可以导致在源极和漏极之间形成和／或保持一个导电的沟道， 其特征在于， 在沟道形成之后，栅极与供给其栅压的栅压...
该专利属于西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司授权不得商用。

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