【技术实现步骤摘要】
在很多应用场合需要具有用硅处理工艺的可写可擦的只读存储单元，即所谓的快速EEPROM(电可擦可编程只读存储)的只读存储单元装置。这些快速EEPROM装置也在不供电的情况下保存被存储的数据。在技术上，这些存储单元大多由一只MOS晶体管实现，该MOS晶体管在沟道区具有一种第一电介质、一个浮栅、一种第二电介质和一个控制栅。如果在浮栅上存储有电荷，则该电荷影响MOS晶体管的阈电压。在这种存储单元装置中，“浮栅上有电荷”状态被赋予一个第一逻辑值，“浮栅上无电荷”状态被赋予一个第二逻辑值。信息经由福勒-诺德海姆隧道电流(Fowler-Nordheim-Tunnelstrom)被写入存储单元，电子通过福勒-诺德海姆隧道电流被注入到浮栅上。信息通过沿相反方向通过第一电介质的隧道电流被擦除。在这种存储单元装置中，MOS晶体管制成平面的MOS晶体管结构并位于一个平面的单元结构中。据此，一个存储单元所占的理论上的最小面积为4F2，其中，F为按照当时的制作工艺可制作的最小结构尺寸。目前可提供这种其存储数据量最多为64兆位的快速EEPROM装置。目前，更大的数据量可写可擦地只能存储在动态的存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.电可写可擦的只读存储单元装置，其中，—在半导体衬底(1)的由第一导电类型掺杂区域(2)内配置了很多单个的存储单元，—由第一导电类型掺杂的区域(2)是对半导体衬底(1)隔离的，—存储单元分别安置在基本上平行走向的行中，—在半导体衬底(1)的主面(3)内配置了基本上平行于行走向的纵向沟槽(4)，—行分别交替地处在相邻的纵向沟槽(4)之间的主面(3)上和纵向沟槽(4)的底面上，—存储单元分别包括至少一个具有与第一导电类型相反的第二导电类型掺杂的源/漏区(12)、第一电介质(5)、一个浮栅(6″)、第二电介质(10)和一个控制栅(11′)的MOS晶体管，—字线(11′)垂直于行的走向，这些字线(11′)分别与沿不同的行安置的MOS晶体管的控制栅相接。2.按照权利要求1所述的只读存储单元装置，其中，为使相邻的行相互隔离，在沟槽深度的一半高度处安置有一高浓度掺杂的P+掺杂层(2a)。3.按照权利要求1或2所述的只读存储单元装置，其中，—沿一行安置的存储单元的MOS晶体管彼此串联，—沿一行相邻的MOS晶体管的彼此相连的源/漏区在半导体衬底(1)中形成有关联的掺杂区(12)，—每行具有两个接口，在这两个接口之间，安置在该行中的MOS晶体管彼此串联。4.按照权利要求1至3之一所述的只读存储单元装置，其中，在沟底的区域内纵向沟槽(4)的侧面具有充填绝缘材料的弯曲部分。5.按照权利要求1至4之一所述的只读存储单元装置，其中，—半导体衬底(1)至少在被第一导电类型掺杂的区(2)的范围内具有单晶硅，—第一电介质(5)分别由SiO2层构成，—第二电介质(10)分别包含SiO2和/或Si3N4，—浮栅(6″)和控制栅(11′)分别包含掺杂多晶硅。6.用于制作电可写可擦的只读存储单元装置的方法，其中，—在半导体衬底(1)的主面(3)内生成一个被第一导电类型掺杂的区域(2)，该区域(2)是对半导体衬底(1)隔离的，—在被第一导电类型掺杂的区域(2)内的主面(3)中，刻蚀基本上平行走向的纵向沟槽(4)，—生成大量成行安置的存储单元，这些存储单元分别包括至少一个具有与第一...
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