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电可写可擦的只读存储单元装置及其制作方法制造方法及图纸
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文档序号:3221485
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电可写可擦的只读存储单元装置,其中, -在半导体衬底(1)的由第一导电类型掺杂区域(2)内配置了很多单个的存储单元, -由第一导电类型掺杂的区域(2)是对半导体衬底(1)隔离的, -存储单元分别安置在基本上平行走向的行中,...
该专利属于西门子公司所有,仅供学习研究参考,未经过西门子公司授权不得商用。
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