半导体器件铂膜的刻蚀方法技术

本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法，在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下，铂膜上含有钛的粘附层转变成ＴｉＯｘ，阻止了进一步刻蚀。在预定温度如１２０～３００℃下，ＴｉＯｘ可以防止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实，过刻蚀铂膜可以改善铂膜刻蚀倾角。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件的制造方法，确切地说，是涉及刻蚀铂膜的方法，该铂膜用于制造半导体存储器件电容器的存储节点。通常，随着半导体存储器件集成度的提高，半导体存储器件如动态随机存取存储器(DRAM)需要一个大容量电容器，同时还要求电容器的面积小。因此开发了槽式或柱式电容器。但是，槽式或柱式电容器的制造工艺复杂而且难以正确制作。因此，集成半导体存储器件所需的大容量和高集成度是互相制约的。为了解决以上问题，现在广泛采用钛酸锶钡(BST)作为电介质来制造电容器。BST与常规电介质相比具有更高的介电常数。电容器通常采用具有高介电常数的材料如BST来制造，铂膜是通常所采用的电容器极板和存储节点。这是因为铂是稳定的材料，在形成BST绝缘膜的高温热处理过程中在介质表面不易氧化。并且，与其他导电膜如铱、钌和多晶硅相比，铂具有良好的导电性以及电容器的介质电极间的泄漏电流小。但是，采用干法刻蚀难以形成铂图形。这是因为铂是稳定的金属，不易与其它化学物质发生反应。在反应离子刻蚀(RIE)中通常采用卤族元素刻蚀铂膜，但是卤族元素与铂离子反应很弱，所以铂膜不是由于化学反应而是因为物理溅射的作用而被刻掉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀半导体器件铂膜的方法，包括以下步骤： 在形成底层的半导体衬底上生成铂膜； 在铂膜上形成粘附层； 在粘附层上形成掩模层； 图形化掩模层形成掩模图形； 利用掩模图形图形化粘附层； 在等离子体刻蚀设备中加热半导体衬底； 利用掩模图形和粘附层图形刻蚀铂膜；以及 去除掩模图形。

【技术特征摘要】
KR 1997-6-9 23660/97;KR 1997-2-5 3580/971一种刻蚀半导体器件铂膜的方法，包括以下步骤在形成底层的半导体衬底上生成铂膜；在铂膜上形成粘附层；在粘附层上形成掩模层；图形化掩模层形成掩模图形；利用掩模图形图形化粘附层；在等离子体刻蚀设备中加热半导体衬底；利用掩模图形和粘附层图形刻蚀铂膜；以及去除掩模图形。2根据权利要求1所述的方法，在形成铂膜之前，在底层上形成阻挡层。3根据权利要求2所述的方法，阻挡层采用TiN或含有TiN的材料形成。4根据权利要求1所述的方法，粘附层采用钛形成。5根据权利要求1所述的方法，掩模层包括一层或多层。6根据权利要求5所述的方法，一层或多层中包括一层或多层氧化层。7根据权利要求1所述的方法，在加...

【专利技术属性】
技术研发人员：金铉佑，南炳允，周炳善，刘元钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]